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應(yīng)用開發(fā)

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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器

控制器可提高電源效率并降低待機(jī)功耗Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴(kuò)展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度...
NexperiaAC／DC反激式控制器 2024-10-29

ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

~采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來(lái)，在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)，電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備...
rohm柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX－LB” 2023-10-19

意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片，保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。 L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦...
意法半導(dǎo)體隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片L6983i 2023-05-16

貿(mào)澤備貨Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器滿足射頻衛(wèi)星通信需求

專注于引入新品并提供海量庫(kù)存™的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Qorvo®的QPA1314T 功率放大器 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um 碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 工藝 (QGaN15) 制造，并安裝在高導(dǎo)熱墊片上，是一款大功率MMIC放大器，非常適合商業(yè)和國(guó)防射頻通...
QPA1314T 功率放大器 ...大功率MMIC放大器 2022-09-26

貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起開始備貨Qorvo®QPD0011高電子遷移率晶體管(HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款...
貿(mào)澤QorvoQPD0011 2021-08-23

Microchip推出用于衛(wèi)星通信終端的高線性度Ka波段單片微波集成電路（MMIC），進(jìn)一步豐富氮化鎵（GaN）射頻產(chǎn)品組合

衛(wèi)星通信系統(tǒng)使用復(fù)雜的調(diào)制方案，以實(shí)現(xiàn)極快的數(shù)據(jù)速率用于傳遞視頻和寬帶數(shù)據(jù)。因此，它們必須具備高射頻輸出功率，同時(shí)確保信號(hào)保持其理想的特征。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，以滿足上述要求。這款新器件是Microchip的首...
microchip集成電路MMICGMICP2731－10 2021-06-22

利用GaAs LNA和GaN PA進(jìn)行無(wú)線設(shè)計(jì)應(yīng)牢記的幾大事項(xiàng)

對(duì)性能、微型化和更高頻率運(yùn)行的推動(dòng)正在挑戰(zhàn)無(wú)線系統(tǒng)的兩個(gè)關(guān)鍵天線連接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。使5G 成為現(xiàn)實(shí)的努力，以及PA 和LNA 在VSAT 端子、微波無(wú)線電鏈路和相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的使用促成了這種轉(zhuǎn)變。這些應(yīng)用的要求包括較低噪聲（對(duì)于LNA）和較高能效（對(duì)...
無(wú)線設(shè)計(jì)功率放大器(PA)低噪聲放大器 2021-05-26

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之三：高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲，泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍

手把手，帶你解密GaN電源設(shè)計(jì) 作者：泰克科技由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障...
RF通信寬禁帶半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì) 2020-05-12

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

作者：安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷總監(jiān)Yong Ang 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與...
氮化鎵電源設(shè)計(jì)寬禁帶技術(shù) 2020-03-16

基于Transphorm GaN FET的4kW圖騰柱PFC電源評(píng)估板

　　電能是現(xiàn)代社會(huì)運(yùn)行的能量基礎(chǔ)，電能通過(guò)電源設(shè)備進(jìn)行規(guī)格轉(zhuǎn)換，將符合要求的電能輸送給用電設(shè)備。在電源設(shè)備轉(zhuǎn)換電能的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生能量損耗。電源作為電能與用電設(shè)備的接口無(wú)處不在，任何一點(diǎn)的損耗都會(huì)被極度放大，無(wú)論從成本角度還是從環(huán)境保護(hù)的角度，我們都不能忽視這些損耗，于是降低損耗...
PFC電源評(píng)估板電路系統(tǒng)非隔離結(jié)構(gòu) 2019-07-23

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