电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設為首頁網站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發板
數據中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫療及看護| 通信及物聯網| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 3767 條關于“NAND”的信息，用時:0.039 sec.

nand flash結構以及讀寫分析——寫的比較經典

NAND Flash 的數據是以bit 的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8 個或者16 個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device 的位寬。這些Line 會再組成Page.(Nand Flash 有多種結構，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面內容針對三星...
2010-05-18

NandFlash系列之二：S3C2410讀寫Nand Flash分析

一、結構分析 S3C2410處理器集成了8位NandFlash控制器。目前市場上常見的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的數據頁大小分別為512Byte、2kByte、2kByte。它們在尋...
2010-05-15

關于從NAND Flash啟動的問題，2440 啟動問題，拷貝4k程序，啟動代碼分析

用的是S3C2410.見附件start.s 其中關于nand flash啟動的那一段一直百思不得其解,按說從NAND FLASH啟動時,應該是前4KB映射到NGCS0,其中的代碼將NAND中存放的程序拷貝到RAM中,但該文件提供的程序好象是先從NAND拷貝 128K的代碼到ResetEntry開始的地方,即地址為0的地方,然后再從ResetEntry處拷到RAM中,但此...
2010-05-15

NOR和NAND FLASH 區別!

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多...
2010-05-14

s3c2410/s3c2440 nand flash工作原理

NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關。NAND Flash的數據是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page，通常是528Byte/pag...
2010-05-13

nand flash 原理（2）含實例

NAND Flash 的數據是以bit 的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8 個或者16 個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device 的位寬。這些Line 會再組成Page.(Nand Flash 有多種結構，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面內容針對三星...
2010-05-13

Nand-Flash/Nor-Flash存儲模塊設計

Nand-Flash/Nor-Flash存儲模塊設計隨著嵌入式系統越來越廣泛的應用，嵌入式系統中的數據存儲和數據管理已經成為一個重要的研究課題。Flash存儲器具有速度快、成本低等很多優點，因此在嵌入式系統中的應用也越來越多。為了合理地管理存儲數據，進行數據共享，Flash的設計在A...
2009-10-09

--BBS主題帖: K9W8G08U1M:8Gb NAND閃存

2003年十二月16日訊,Samsung公司推出業界首個8Gb NAND閃存器件K9W8G08U1M.它的結構為1Gbx8,工作電壓2.7-3.6V.數據頁的數據讀取速度為50ns/字節.片內的寫控制器能自動所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復,內部確認和數據富余度.這種高密度器件能使存儲子系統的高水平功能滿足快速產品如數碼相機,USB閃存驅...
2004-01-07

--BBS主題帖: 512MB和1GB NAND閃存卡

3月13日訊，SanDisk公司預展出下一代512MB和1GB的閃存卡，大量生產計劃在今年后期。 SanDisk已推出1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝，便能生產出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術，由Toshiba 和SanDisk共同開發的
2003-03-18

1... 上一頁 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 下一頁 377

關鍵字搜索分類查看

新聞(625)

新品(445)

技術文章(184)

解決方案(190)

論壇帖子(1617)

博客日志(684)

主站蜘蛛池模板：武宣县| 汕头市| 上饶县| 深水埗区| 吉水县| 娄烦县| 嘉禾县| 会理县| 津南区| 嘉鱼县| 祁门县| 邢台县| 会同县| 澎湖县| 安图县| 卫辉市| 北安市| 青川县| 扬中市| 桂阳县| 社旗县| 平谷区| 昌平区| 仁布县| 青河县| 南溪县| 务川| 济源市| 罗平县| 简阳市| 将乐县| 尚义县| 永善县| 闸北区| 墨竹工卡县| 荔波县| 阿克苏市| 塔城市| 台北市| 甘孜县| 重庆市|