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↓在全部中搜索到 2356 條關于“Gan”的信息，用時:0.038 sec.

Teledyne e2v HiRel的650 V系列產品新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產品TDG650E60提供60A的電流。這些650 V GaN HEMT是市...
Teledyne e2v50E30BTDG650E15B 2021-01-08

小尺寸650V GaN HEMT 設計解決方案GaN Systems GS－EVB－HB－66508B－ON1評估板在貿澤開售

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。此高速子板結合了GaN Systems的兩個650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導體的NCP51820柵極驅動器，可為現有或新的離線電源轉換設計提供高性價比半橋解決方案。...
貿澤電子systemsGS－EVB－HB－66508B－... 2020-03-16

Nexperia推出行業領先性能的高效率氮化鎵功率器件(GaN FET)

11月19日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia 推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175℃。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 mΩ）以及快速的開關切換；...
Nexperia功率器件GAN063－650W...氮化鎵功率器件 2019-11-26

雅特生科技推出新款可支持 GaN的DC－DC電源轉換器模塊

Advanced Energy Industries, Inc. (納斯達克：AEIS)旗下的雅特生科技 (Artesyn Embedded Power) 宣布推出最新的一款直流／直流電源轉換器模塊。這款屬AGQ500系列的500W電源轉換器模塊主要面向氮化鎵(GaN)射頻功率放大器的各種應用。 AGQ500系列模塊采用業內標準的1／4磚大小封裝，效率高達95%以上...
電源轉換器模塊雅特生 2019-11-20

QORVO通過10W Ka波段GaN放大器打破功率屏障

QORVO為32-38GHZ國防應用提供業界最高功率的解決方案移動應用、基礎設施與國防應用中核心技術與 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，推出 MMIC 功率放大器，該放大器在 32-38GHz 頻段提供超過 10 瓦飽和功率。市場上性能最強大的 MMIC 產品具有先進的可靠性和效...
MMIC 功率放大器32－38GHZ國防應用 2019-06-13

QORVO全新碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）放大器可進一步降低電信基礎設施成本

雙晶體管模塊針對宏基站設計提供無與倫比的性能實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非對稱型 Doherty 放大器－－－QPD2731，有助于客戶在設計無線基站設備的過程中實現超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大...
Qorvo碳化硅基氮化鎵放大器雙晶體管模塊QPD2731 2017-08-10

TI推出一款600V氮化鎵(GaN)70mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片

基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70mÙ場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電...
600V氮化鎵TI場效應晶體管 2016-05-04

研華推出無線50W X波段GaN基SSPB／BUC戰術軍事應用

加拿大蒙特利爾研華無線公司（該公司制造的衛星，射頻設備和微波系統）已推出了50W X波段氮化鎵（GaN）基全固態供電模塊上變頻器（SSPB / BUC）戰術軍事應用。該氮化鎵50W X波段海盜隊都建于專為戶外作業的小型散熱外殼。該單位是防水，適合于惡劣環境，如男子組的端部署。重量小于3.5公斤（約8磅），單...
50W X波段氮化鎵全固態供電模塊研華 2015-05-25

Cree公司推出替換雷達系統行波管放大器的GaN HEMT器件

北卡羅來納州達勒姆，美國Cree公司公司日前推出了兩款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）射頻設備被認為解決了許多雇用傳統行波管雷達系統長期存在的問題是（TWT）放大器。 GaN系固態放大器在50V操作不容易看到的高電壓（kV）行波管的電源的故障機制，從而提供更長的壽命。此外，這種固態系統提供...
放大器晶體管模擬電路 2015-05-18

Microsemi推出新型750W GaN on SiC RF功率晶體管

Microsemi推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor，HEMT)技術的射頻(radio frequency，RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目...
750W RF晶體管Microsemi碳化硅 2013-10-08

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