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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.039 sec.

Qorvo推出業內最強大的GaN－on－SiC晶體管

關鍵型IFF和航空電子應用的信號完整性和范圍得到大幅提升移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）RF晶體管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航...
QorvoGaN－on－SiC晶體管QPD1025 2018-03-22

ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動器板加快產品上市時間

Analog Devices, Inc. (ADI) 與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司...
ADIMicrosemiSiC功率模塊隔離驅動器板高功率評估板 2018-03-07

專為新一代SiC MOSFET供電的DC／DC轉換器

高開關頻率和高阻斷電壓是驅動SiC MOSFET要面臨的主要挑戰。控制電路與電源之間的極端壓差可能會損壞隔離壁壘進而導致故障。為了滿足這些嚴苛的要求，RECOM最近推出了專為最新一代SiC MOSFET供電的新型2W DC／DC轉換器系列。SiC MOSFET跟IGBT或MOSFET使用的電壓不同，需要特殊的導通和關斷電壓進行開關...
SiC MOSFETDC／DC轉換器高開關頻率高阻斷電壓 2017-08-16

QORVO GAN－ON－SIC晶體管提高戰術和公共安全電臺的效率和帶寬

緊湊型50V晶體管降低電流損耗、簡化設計實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該晶體管系列可以提高性能、增強功能，并加快任務關鍵型戰術和公共安全電臺的開發速度。這些晶體管針對寬帶應用進行過輸入匹配處理，并...
QorvoGAN－ON－SIC晶體管緊湊型50V晶體管QPD1004、QPD1014和QP... 2017-06-29

ROHM全SiC功率模塊的產品陣容更強大

ROHM面向工業設備用的電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。本產品通過ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優化，實現了600A額定電流，由此，在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可...
rohmSiC功率模塊 2017-05-16

三菱電機開始發售功率半導體“SiC－SBD”

為降低電源系統的耗電量、縮小其體積做出貢獻三菱電機株式會社此次推出采用了SiC※1的功率半導體新產品“SiC-SBD※2”，新產品為有效降低用于空調及太陽能發電中的家電・工業用電源系統的耗電量、縮小其體積做出了貢獻。該產品將于3月1日起陸續發售。※1 Silicon Carbide：碳化硅※2　Scho...
三菱電機功率半導體“SiC－SBD...降低電源系統的耗電量 2017-03-09

Fairchild針對高速光伏逆變器和苛刻工業應用發布1200V SiC二極管

Fairchild (NASDAQ: FCS)發布首個1200V碳化硅(SiC)二極管——FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。1200V二極管憑借卓越的開關性能、更高的可靠性和較低的電磁干擾(EMI)，成為下一代光伏逆變器、工業電機控制器和電焊機的理想選擇，所有這些應用都不斷面臨著提高功率密度和能源效率...
1200V SiC二極管FairchildFFSH40120ADN高速光伏逆變器 2016-03-22

業界首款全SiC功率模塊問世：開關效率提升10倍

集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用...
CAS300M17BM2SiC功率模塊高功率電機驅動開關 2015-10-14

Cree推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺

SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通...
900V MOSFET平臺C3M0065090JCree　SiC功率器件 2015-09-07

ROHM推出采用溝槽結構的SiC－MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。另外，此次開發的SiC...
rohmSiC－MOSFET導通電阻降低50%溝槽結構 2015-06-24

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