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↓在全部中搜索到 612 條關于“FinFET??”的信息，用時:0.109 sec.

--BBS主題帖: FinFET對動態(tài)功耗的影響

[font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體][b]關鍵字：晶體管門電路漏電流 EDA [/b][/font] [font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體]現(xiàn)在主要的代工廠都在生產[url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/FinFET.HTM]FinFET[/url][b]晶體管[/b]，這些FinFET以創(chuàng)紀錄的速度實現(xiàn)了從設計到現(xiàn)...
2015-07-07

--BBS主題帖: FinFET推動更明智的物理IP選擇

[font=微軟雅黑, Tahoma,]半導體行業(yè)目前面臨集成電路（IC）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高IC的性能和密度，可能會對設計方法產生影響。晶圓代工廠家目前正準備根據(jù)finFET概念加強使用三維晶體管結構的14nm和16nm工藝，因為相比較20nm的平面型晶體管，它們可以提供更高的性能。通過提高...
2015-05-11

--BBS主題帖: FinFET推動更明智的物理IP選擇

[font=微軟雅黑, Tahoma,]半導體行業(yè)目前面臨集成電路（IC）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高IC的性能和密度，可能會對設計方法產生影響。晶圓代工廠家目前正準備根據(jù)finFET概念加強使用三維晶體管結構的14nm和16nm工藝，因為相比較20nm的平面型晶體管，它們可以提供更高的性能。通過提高...
2015-04-10

--BBS主題帖: FinFET推動更明智的物理IP選擇

[font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體][b]關鍵字：FinFET 工藝 IC制造 [/b][/font] [font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體]半導體行業(yè)目前面臨集成電路（[url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/IC.HTM]IC[/url]）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高 IC的性能和密度，可能會對...
2014-11-16

Intel與IBM決戰(zhàn)14納米FinFET

關鍵字：14nm FinFET 22nm 3D FinFET Intel 英特爾業(yè)界主要的半導體制造商與晶圓代工廠一直在努力打造足以與英特爾(Intel)競爭的 3D FinFET ，試圖挑戰(zhàn)這個多年來一直由英特爾主導的領域。而長久以來能與英特爾相抗衡的也只有IBM了，不過，該公司最近剛簽...
2014-10-27

FinFET推動更明智的物理IP選擇

關鍵字：FinFET 工藝 IC制造半導體行業(yè)目前面臨集成電路（IC）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高 IC的性能和密度，可能會對設計方法產生影響。晶圓代工廠家目前正準備根據(jù)finFET概念加強使用三維晶體管結構的14nm和16nm工藝，因為相比較20nm的平面型晶體管，它們可以提供...
2014-10-15

--BBS主題帖: 基于FinFET的SoC系統(tǒng)設計

大家都在談論FinFET——可以說，這是[url=http://www.eechina.com/keyword/MOSFET][color=#0066cc]MOSFET[/color][/url]自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為[url=http://www.eechina.com/keyword/SoC]...
2014-08-28

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結構晶體管芯片流片

在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設計則顯然向實現(xiàn)這一目標又邁進了一步，當然流片完成之后還需要對過程工藝等等項目進行完善和改進，還...
2013-06-30

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