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Toshiba推出低通態(tài)電阻MOSFET用于開關(guān)式電源的次級

東芝美國電子元件公司(TAEC)*是一家具有良好信譽(yù)的領(lǐng)軍廠商，與多家技術(shù)公司合作創(chuàng)建了突破性的設(shè)計(jì)方案。今天，東芝美國電子元件公司宣布推出新的MOSFET系列產(chǎn)品，用于次級開關(guān)式電源(SMPS)的同步整流。東芝公司開發(fā)了4款新器件，優(yōu)化了低通電阻(RDS(ON))，以減少SMPS次級的電耗。這一系列產(chǎn)品的前4...
MOSFETtoshiba低通態(tài)電阻開關(guān)式電源 2009-04-08

Toshiba推出TPCA8045-H低RDS（on）提高了轉(zhuǎn)換器效率

TPCA8045-H，其46、47、48、49、50和51 MOSFET提供了電壓為40-，60-，和80V的一系列器件，它們適用于移動通信應(yīng)用中的隔離式DC/DC總線轉(zhuǎn)換器所用到的初級側(cè)開關(guān)。這些N溝道器件也可以用于非隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器。其中有三種40–V的器件，即TPCA8045-H、TPCA8046-H和TPCA8047-H，它們的漏極電流分別是46、...
RDS（on）toshibaTPCA8045-H轉(zhuǎn)換器效率 2009-04-08

Toshiba推出新器件擴(kuò)充了ARM9擴(kuò)展溫度微控制器系列

Toshiba 已通過加入新器件擴(kuò)展了基于低功率ARM的微控制器系列，新器件可以幫助減少元器件數(shù)量并降低那些支持人機(jī)界面（HMI）應(yīng)用的嵌入式工業(yè)設(shè)計(jì)的成本。新器件進(jìn)一步增強(qiáng)了Toshiba ARM9系列的可擴(kuò)縮性，有助于設(shè)計(jì)者為其目標(biāo)應(yīng)用選擇最佳的性價(jià)比點(diǎn)。新的TMPA911CRAXBG同時引入了在150MHz頻率下運(yùn)行的...
ARM9toshiba溫度微控制器系列 2009-03-30

TOSHIBA 3位/單元32nm和4位/單元43nm NAND閃存技術(shù)突破性進(jìn)展

近日，Toshiba公司宣布在NAND閃存的“多位/單元”技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，將使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。在32納米技術(shù)時代，Toshiba已經(jīng)以業(yè)界最小晶片尺寸實(shí)現(xiàn)了3位/單元的32 Gb芯片，體積小于目前市場常見的采用43nm技術(shù)的2位/單元16Gb芯片。這款前沿的芯片將于2009下半年開始量產(chǎn)。該公...
3位/單元32nm4位/單元43nmNAND閃存技術(shù)toshiba 2009-02-16

TOSHIBA推出打破帶寬和存儲密度紀(jì)錄的FeRAM

近日，TOSHIBA（美國）電子公司推出非易失性鐵電隨機(jī)存儲器（FeRAM）原型，存儲密度達(dá)128Mb，讀寫速度為1.6 GB/s，將重新設(shè)定存儲密度和運(yùn)行速度的業(yè)界基準(zhǔn)。該存儲器改進(jìn)了公司原來的鏈?zhǔn)紽eRAM架構(gòu)（芯片調(diào)節(jié)的一種常見折衷方式），可防止單元信號退化。該器件實(shí)現(xiàn)了將FeRAM的存儲密度調(diào)高至128Mb。此...
FeRAMtoshiba存儲密度紀(jì)錄帶寬 2009-02-13

Toshiba公司推出系列高電壓π-MOS VII MOSFET

近日，Toshiba America Electronic Components公司推出新一系列高電壓π-MOS VII MOSFET。π-MOS VII MOSFET結(jié)合了先進(jìn)的工藝技術(shù)與平面處理工藝，對電壓和RDS(ON) 額定功率的選擇范圍更寬。Toshiba公司開發(fā)的新產(chǎn)品陣容明確了市場對AC/DC和鎮(zhèn)流器應(yīng)用的需求，通過使用該公司第七代π-MOS工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高...
Toshiba公司高電壓π-MOS VIIMOSFET 2009-02-02

Toshiba 歐洲公司推出工業(yè)圖形用處理器TMPA910CRBXBG

近日，Toshiba 歐洲公司擴(kuò)展其基于ARM的低功耗微處理器產(chǎn)品系列，推出了新的處理器TMPA910CRBXBG。該新器件操作溫度范圍更寬，適用于需多媒體功能的人機(jī)界面（MMI）和其他工業(yè)應(yīng)用。新處理器TMPA910CRBXBG將操作溫度擴(kuò)展為-20°C至+85°C，具有高效能32位ARM926EJ-S™ CPU內(nèi)核，和多種圖形控制...
TMPA910CRBXBGToshiba 歐洲公司工業(yè)圖形用處理器 2009-01-21

Toshiba發(fā)布了具有長壽命LED背光的工業(yè)LCD模塊

Toshiba Electronics Europe目前為客戶提供Toshiba Matsushita Display Technology (TMD)新系列TFT LCD模塊，用于工業(yè)應(yīng)用。彩色有源矩陣工業(yè)TFT LCD產(chǎn)品陣容組合了杰出的70000小時壽命的LED背光系統(tǒng)。模塊設(shè)計(jì)用于滿足工業(yè)應(yīng)用的廣闊需求，包括測試與測量設(shè)備、醫(yī)療器件、便攜式手冊計(jì)算產(chǎn)品以及平板計(jì)...
toshiba工業(yè)LCD模塊長壽命LED背光 2008-12-01

Toshiba推出超小型光電可控硅耦合器TLP163J

Toshiba Electronics Europe (TEE)擴(kuò)展其光電可控硅耦合器，推出超小型器件TLP163J，非常適于高器件密度應(yīng)用。TLP163J具有增強(qiáng)的對于外部噪聲的抵抗性，緊湊的小外形MFSOP6 SMT封裝，尺寸僅僅4.4mm x 3.6mm x 2.5mm。其目標(biāo)應(yīng)用包括固態(tài)繼電器，家用設(shè)備控制系統(tǒng)，辦公自動化裝置和其它要有設(shè)計(jì)人員能夠...
TLP163Jtoshiba光電可控硅耦合器 2008-11-28

TOSHIBA推出800V過零雙向可控硅光電耦合器

Toshiba America Electronic Components擴(kuò)展了雙向可控硅光電耦合器產(chǎn)品線，推出兩款過零檢測雙向可控硅輸出光電耦合器，具有內(nèi)置抗噪性和800V峰值關(guān)段輸出電壓，6引腳DIP封裝。雙向可控硅輸出用于控制前向或反向電流。器件由Toshiba公司開發(fā)，具有5000V（最小）高隔離電壓特性，器件可應(yīng)用于辦公設(shè)備、...
TLP3782TLP3783toshiba過零雙向可控硅光電耦... 2008-11-25

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