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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.040 sec.

[原創]ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅動方案

ST公司的STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅動器,驅動電流4A和軌到軌輸出.器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關.配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發生.兩種配置提供了高度靈活性,降低外接元件...
電源管理SiC MOSFET柵極驅動器AC／DC轉換器DC／DC轉換器STSTGAP2SICS 2021-04-19

[原創]Infineon11kW SiC雙向DC／DC轉換器參考設計

Infineon公司的REF-DAB11KIZSICSYS參考設計11 kW SiC雙向DC/DC轉換器是采用1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有雙向功率流動和軟開關特性,非常適合用于電動汽車車載和離車充電以及能量存儲系統(ESS)應用.參考設計提供了完整和全特性硬件和固件解決方案以及用戶友好的圖像...
電源管理DC／DC轉換器SiCMOSFETEV充電器Infineon 2021-03-08

[原創]ADI ADUM4146單／雙電源高壓隔離SiC柵極驅動方案

ADI公司的ADUM4146是帶米勒箝位的單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅動器,采用ADI公司的iCoupler®技術,在輸入信號和輸出柵極驅動之間提供隔離.ADuM4146包括米勒箝位,它在柵極電壓降到低于2V時能用單個電源提供SiC強健的關斷特性.ADI公司芯片級的變壓器在高壓域和低壓域之間的芯片提供隔離的通信控制信息.A...
電源管理SiC柵極驅動器馬達驅動ADIADUM4146 2021-01-29

[原創]NXP MC33GD3100單路SiC和IGBT功率驅動方案

NXP公司的MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件單路柵極驅動器.其集成的電流隔離和低開態電阻提供了高的充電和放電電流,低動態飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制.電流和溫度檢測最大限度降低IGBT故障時的應力,精確和可配置的欠壓鎖住(UVLO)提供了保護,從而保證了柵極驅動電壓的富裕度. MC33GD3100通過INTB引腳和S...
電源管理SiCIGBTNXPMC33GD3100 2020-12-15

[原創]TI UCC21732 SiC－IGBT 10A單路柵極驅動器解決方案

TI公司的UCC21732是用于SiC/IGBT的10A源/沉增強隔離的單路柵極驅動器,距主動保護,隔離的模擬檢測和高的CMTI.器件工作電壓高達2121V DC,同時具有先進的保護特性,業界最好的動態性能和魯棒性.輸入側和輸出側采用SiO2電容隔離技術,支持高達1.5-kVRMS工作電壓, 12.8-kVPK浪涌免疫度,隔離層壽命大于40年,低部...
電源管理SiCIGBTTIUCC21732SiC－IGBT 2020-09-11

[原創]Rohm BSM080D12P2C008 1200V 80A SiC功率模塊解決方案

Rohm公司的BSM080D12P2C008是1200V/80A的半橋碳化硅(SiC)功率模塊,包括SiC-雙擴散MOS (DMOS)和SiC肖特基二極管(SBD).具有低浪涌,低開關損耗,高速可關和降低溫度依賴性等特性,漏源極間電壓1200V,漏極電流80A,總耗散功率600W,結溫最大為175C.主要用在馬達驅動如逆變器,轉換器,光伏電壓和風能產生,以及其電...
電源管理SiC功率模塊DC／DC轉換器RohmBSM080D12P2C008 2020-09-08

[原創] On Semi NCP51705 SiC MOSFET驅動解決方案

On Semi公司的NCP51705是SiC MOSFET晶體管驅動器,具有最低可能的導通損耗,能給SiC MOSFET器件提供最大可能的柵極電壓.由于在開態和關態提供了高峰值電流,開關損耗實現了最低化.為了改善生活可靠性,dV/dt免疫性和更快關斷,NCP51705采用板上電荷泵,以產生用戶可選擇的負電壓軌.NCP51705還提供重要的保護功...
電源管理SiC MOSFET驅動器NCP51705 2020-02-24

[原創] TI TIDA－010039三相SiC AC－DC轉換器參考設計

TI公司的TIDA－010039是三級三相SiC AC／DC轉換器參考設計,提供了如何實現具有雙向功能的三級三相基于SiC的AC／DC轉換器.其高開關頻率50kHz降低濾波器設計中的磁性元件尺寸,從而獲得更高的功率密度. SiC MOSFET具有低開關損耗,使得更高的DC總線電壓高達800V,較低開關損耗具有峰值效率大于97%.參考設計的...
電源管理AC／DC轉換器SiC MOSFETTIDA－010039 2020-02-07

[原創] Rohm C型全SiC模塊評估方案BSMGD3C12D24－EVK001

Rohm公司的BSMGD3C12D24-EVK001是C型全SiC模塊評估方案,包含了最佳和安全驅動SiC模塊所有必需的元首.包括柵極驅動器,隔離的電源,短路保護,電源電壓欠壓保護,柵極驅動正偏壓欠壓保護,柵極驅動正偏壓過壓保護,高邊和低邊同時導通保護,控制輸出ON/OFF.提供故障信號和溫度監視輸出.主要應用高溫工作環境如飛...
SiC模塊柵極驅動 2019-11-04

[原創] Microsemi雙路SiC MOSFET參考設計MSCSICMDD／REF1

Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1是雙路SiC MOSFET驅動器參考設計,是開源解決方案,提供了用戶友好的設計指南,使得用戶采用MicrosemiSiC MOSFET能更快地走向市場.參考設計還支持過度到下代SiC MOSFET,新的參考設計為用戶提供了高度絕緣的SiC MOSFET雙柵極驅動器開關,用作評估各種拓撲中SiC MOSFET的方法.這...
SiC MOSFET柵極驅動器 2019-09-03

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