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↓在全部中搜索到 428 條關于“Qorvo”的信息，用時:0.047 sec.

星曜半導體：MHB L－PAMiD發射模組芯片重磅發布，卓越技術綻鋒芒，精尖產品顯實力

在當今全球半導體產業競爭愈演愈烈之際，射頻領域的激烈競爭態勢與市場艱難處境是不容忽視的現實。全球射頻前端市場長期以來被美國、日本等國家的幾家大廠商所主導，這些廠商憑借深厚的技術積累、強大的資金實力和廣泛的市場影響力，構筑起較高的市場進入壁壘。在這樣的市場環境下，國內射頻企業面臨著...
星曜半導體MHB L－PAMiD發射模組芯片 2024-11-25

星曜半導體正式發布LB L－PAMiD全自研射頻模組芯片，實現濾波器集成新模式

射頻模組市場份額的增長，與手機射頻電路模組化程度提升的趨勢密不可分。從2014年的Phase2方案開始，MTK的PhaseX方案成為了市場主流，占據整個4G市場約80%的份額。Phase2方案首次將2G PA整合進天線開關模組(ASM)，形成 TxM 發射模組，同時將4G PA整合，形成完整的4G MMMB PA產品，極大提升了...
星曜半導體LB L－PAMiD射頻模組芯片 2024-10-14

全球首發－星曜半導體重磅推出世界最小尺寸 (1．4mm x 1．1mm) Band 2、Band 3、Band 7雙工器芯片

浙江星曜半導體有限公司正式發布全新一代小尺寸Band 2、Band 3、Band 7雙工器芯片。三款產品均為1411尺寸（1.4mm x 1.1mm），此尺寸為目前全球范圍內最小分立雙工器芯片尺寸，且為全球首次發布。此次推出的三款雙工器是基于星曜半導體新一代TF-SAW技術，融合了多種專利技術，三款產品總體性能達到國際一...
星曜半導體雙工器芯片 2024-07-29

貿澤開售采用D2PAK－7L 封裝的工業用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET

提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo®收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在...
D2PAK－7L 封裝UJ4C／SC SiC FET 2022-09-23

貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET

提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現已被Qorvo®收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的...
貿澤UnitedSiCUF4C SCSiC FET 2022-06-09

村田推出配備加速度傳感器和Bluetooth Low Energy的超小尺寸UWB通信模塊

株式會社村田制作所（以下簡稱“本公司”）已開發了配備加速度傳感器和Bluetooth® Low Energy的超小尺寸UWB(1)通信模塊“Type 2AB”（以下簡稱“本產品”）。本產品中配備了Qorvo,inc.（以下簡稱“Qorvo公司”）的UWB IC和Nordic Semiconductor（以下簡稱“Nordic公司”）的Bluetooth Low Energy S...
村田加速度傳感器Bluetooth Low EnergyUWB通信模塊 2021-08-30

貿澤電子開售QPL181x系列CATV放大器

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Qorvo®的QPL181x系列CATV 放大器。QPL181x 放大器是砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT) CATV 射頻放大器，可為50 MHz至1800 MHz電纜頻譜內的設計和應用提供節省空間的選擇。其應用包括電纜調制解調...
貿澤電子QPL181xCATV放大器 2021-06-04

Modelithics公司增加了20個新晶體管仿真模型

美國Modelithics公司，該公司提供射頻和微波有源和無源仿真模型的電子設計自動化（EDA）和Qorvo公司（核心技術和射頻解決方案的移動，基礎設施建設和航空航天/國防應用的供應商）有宣布計劃擴大高精度非線性模型的Modelithics Qorvo氮化鎵庫Qorvo氮化鎵（GaN）晶體管。現有的氮化鎵庫版本（V1.5）有29個...
射頻解決方案無源仿真模型晶體管 2015-05-18

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