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應(yīng)用開發(fā)

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如何實現(xiàn)低BER(誤碼率)、低雜散輸出和低相位噪聲的系統(tǒng)級目標(biāo)

新興的PLL + VCO （集成電壓控制振蕩器的鎖相環(huán)）技術(shù)能夠針對蜂窩/4G、微波無線電防務(wù)等應(yīng)用快速開發(fā)低相位噪聲頻率合成器，ADI集成頻綜產(chǎn)品的頻率覆蓋為25 MHz到13.6 GHz。蜂窩/4G、微波無線電、測試設(shè)備和防務(wù)子系統(tǒng)應(yīng)用的無線電設(shè)計人員依賴高質(zhì)量本振(LO)來實現(xiàn)低BER(誤碼率)、低雜散輸出和低相位...
低相位噪聲低雜散輸出傳感器系統(tǒng) 2022-02-22

深度好文：為什么RFSOI技術(shù)更適合波束成形IC？

本文編譯自everythingrf相控陣天線已證明其對毫米波 5G 無線電的重要價值。波束聚焦的改進，波束范圍的增強提高了數(shù)據(jù)吞吐量與定向波束控制提供的空間復(fù)用性。使用具有獨特幅度和相位設(shè)置的每個天線的信號來驅(qū)動這些天線陣列，往往需要非常復(fù)雜的電路，分發(fā)模擬波束成形 IC，將它們放置在天線元件陣列內(nèi)...
RFSOI技術(shù)波束成形IC 2022-01-24

功率電子、5G、新能源汽車：三大目標(biāo)市場中，第三代半導(dǎo)體器件的機會在哪里？

圖源：stock.adobe.com/Grispb 第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子...
5G功率電子半導(dǎo)體器件新能源汽車 2022-01-24

解密RF信號鏈—第2部分：基本構(gòu)建模塊

作者：ADI公司 Anton Patyuchenko，現(xiàn)場應(yīng)用工程師分立式和集成式組件是構(gòu)成各個應(yīng)用領(lǐng)域的RF信號鏈的基礎(chǔ)功能性構(gòu)建模塊。在本系列文章的第一部分，我們討論了用于表征系統(tǒng)的主要特性和性能指標(biāo)。然而，為了達到期望的性能，RF系統(tǒng)工程師還必須對各類RF器件有充分的了解，RF器件的選擇將決...
RF信號鏈模塊低噪聲放大器RF檢波器 2021-12-27

日本開發(fā)出GaN和SiC混合晶體管

禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個重要特性參數(shù)，根據(jù)半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)不同，可將半導(dǎo)體材料分成兩種類型：寬禁帶和窄禁帶。若半導(dǎo)體材料的帶隙寬度小于2.3eV，則稱為窄帶隙半導(dǎo)體，代表性材料有GaAs、Si、Ge 和InP ；若半導(dǎo)體材料的帶隙寬度大于或等于2.3eV，則稱為寬帶隙半導(dǎo)體，代表性材料有GaN、SiC、AlN...
寬禁帶半導(dǎo)體材料GaNSiC混合晶體管 2021-12-23

GaN 和 SiC 器件相似和差異

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，化合物半導(dǎo)體為我們提供了 LED：一種是由砷化鎵 (GaAs) 和砷化鎵和磷 (GaAsP) 的混合物組成；其他人使用銦和磷。雖然化合物半導(dǎo)體更難制造且...
GaNSiC 器件 2021-11-25

光通信系統(tǒng)的VCSEL技術(shù)

傳統(tǒng)的光電轉(zhuǎn)換技術(shù)一般采用 LED 等發(fā)光器件。這種發(fā)光器件多采用邊緣發(fā)射，體積大，因此比較難以和半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合。20 世紀(jì) 90 年代垂直腔表面發(fā)射激光 VCSEL 技術(shù)成熟后，解決了發(fā)光器件和半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合的問題，因此迅速得到普及。晶圓光學(xué)鏡片中間的兩面發(fā)射垂直腔面發(fā)射體激光器（VCSEL）VCSEL技術(shù)...
光通信系統(tǒng)VCSEL技術(shù) 2021-11-11

第四代半導(dǎo)體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或?qū)⒄旧螩位

一般來說，半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。迄今為止，半導(dǎo)體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導(dǎo)體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導(dǎo)體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導(dǎo)體等。過去一年里，我們看到隨著市場對半導(dǎo)體性能的要...
半導(dǎo)體材料氧化鎵SiC材料器件 2021-10-28

IC集成推動實現(xiàn)平板相控陣天線設(shè)計

作者: ADI公司Jeff Lane，產(chǎn)品營銷工程師摘要半導(dǎo)體技術(shù)的進步推動了相控陣天線在整個行業(yè)的普及。早在幾年前，軍事應(yīng)用中已經(jīng)開始出現(xiàn)從機械轉(zhuǎn)向天線到有源電子掃描天線(AESA)的轉(zhuǎn)變，但直到最近，才在衛(wèi)星通信和5G通信中取得快速發(fā)展。小型AESA具有多項優(yōu)勢，包括能夠快速轉(zhuǎn)向、生成多種輻射模式、具...
IC集成相控陣技術(shù)天線設(shè)計相控陣天線 2021-10-22

--BBS主題帖: WJ推出全4W 28V InGaP HBT功率放大器

WJ Communications推出AP622，一個適用于WCDMA通訊基站應(yīng)用的4 W功率放大器。這個新產(chǎn)品基于28V InGaP/GaAs HBT AP60x功率放大器的成功之上，是一個高度集成的2級功率放大器。AP622非常適用于WCDMA 基站和功放模塊的前置推動級和推動級，以及直放站的輸出級應(yīng)用。這個下一代功率放大器代表WJ通訊為支持...
2007-01-22

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