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↓在全部中搜索到 2356 條關于“GAN”的信息，用時:0.037 sec.

GaN Systems公司和合作伙伴應對零排放挑戰

氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領導者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態系統不斷壯大，通過加速全球可持續發展和清潔技術革命，應對凈零排放挑戰，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。高效的發電、配電和轉換是推動可持續性和減少排放的關鍵因素。由于氮化鎵在本質上比硅和碳化硅更高...
GaN Systems零排放 2021-12-21

GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導體晶圓設備助力中國產能擴充

隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機、筆記本電腦為代表的消費電子快充市場迎來了又一標桿性產品的重要拐點。近兩年來，全球GaN充電器的出貨量已經突破了數千萬只。然而，這僅僅只是開端。 Yole Développement的最新調研報告顯示，預計2026年全球GaN功率器件的市場規模達到11億美元...
GaNSRII思銳智能 2021-11-01

TI推出全新GaN技術，攜手臺達打造高效能服務器電源供應器

德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為數據中心開發設計高效、高功率的企業用服務器電源供應器（PSU）。與使用傳統架構的企業服務器電源供應器相比，臺達研發的服務器電源供應器將功率密度提高了...
GaN技術TI臺達電源供應器 2021-09-24

國產SiC ＆ GaN功率器件已達國際一流水平，組建歐洲銷售團隊“出海”

日前，SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。派恩杰負責市場與銷售的副總裁高治廷先生表示：“過去三年，派恩杰潛心研發，已經發布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT...
國產SiCGaN功率器件 2021-09-09

ST 和Exagan開啟GaN發展新篇章

氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負載，能效更高，物料清單成...
STExaganGaNCMOS晶圓半導體材料 2021-09-07

50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展

據2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM展）主辦方公布的信息，第三代半導體設計和方案商派恩杰半導體已確定參展，展位號E43。成立于2018年9月的派恩杰半導體，目前已是國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。2019年3月，派恩杰成立僅6個月即...
SiC SBDSiCMOSGaNHEMTPCIM展 2021-08-25

恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實現高能效移動網絡

Ÿ 用于5G基礎設施的恩智浦多芯片模塊中的GaN性能可將效率提高8個百分點 Ÿ 縮小基站射頻單元尺寸，減輕重量；加快5G系統的設計和部署 Ÿ 恩智浦整合了多項技術，以實現最優性能恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克代碼：NXPI）宣...
恩智浦GaN5G多芯片模塊 2021-07-06

聞泰科技：安世半導體GaN FETs產品即將迎來大規模出貨

近日，在SEMICON China大展的功率與化合物半導體國際論壇上，聞泰科技副總裁吳友文演講中表示，“第三代化合物功率半導體將全方位助力電動車零排放革命”。電動汽車的未來是“行駛里程延長、充電時間縮短，電池容量更大”，第三代化合物功率半導體將是實現該項目標的關鍵性因素。在十四五規劃綱要中...
GaN安世半導體氮化鎵聞泰科技 2021-03-24

TI 推首款汽車和工業級GaN FET 功率密度再翻倍

隨著半導體技術的提升，人們逐漸將目標轉向了尋找Si以外新一代的半導體材料。在這個過程中，GaN近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料的代表，由于禁帶寬度大、導熱率高等特性，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺...
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20

NXP加大GaN射頻投資，亞利桑那州工廠啟用

NXP日前位于亞利桑那的fab正式開啟，生產用于功率放大器的GaN器件，它可以跨越5G頻率，從Sub-6GHz到毫米波。 5G基站需要向用戶設備傳輸低頻、中頻和毫米波信號。隨著頻率的增加，在有效距離上傳輸所需的功率也隨之增加。由于氮化鎵（GaN）的高頻特性，它在5G基站功率放大器中比其他工藝具有優勢。20...
GaNNXP 2020-11-11

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