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應(yīng)用開發(fā)

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↓在全部中搜索到 58 條關(guān)于“RRAM”的信息，用時(shí):0.043 sec.

關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)的最強(qiáng)入門科普

此前，我給大家仔細(xì)介紹了 HDD 硬盤、軟盤和光盤的發(fā)展史（鏈接）。大家應(yīng)該都注意到了，在我們的日常生活中，其實(shí)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止上面三種存儲(chǔ)介質(zhì)。我們經(jīng)常使用的 U 盤、TF 卡、SD 卡，還有電腦上使用的 DDR 內(nèi)存、SSD 硬盤，都屬于另外一種存儲(chǔ)技術(shù)。這種技術(shù)，我們稱之為“半導(dǎo)體存儲(chǔ)”。今天，小棗君就重...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)存儲(chǔ)技術(shù) 2022-10-13

【未來可測】系列之二：憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測試方案

憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(chǔ)（Nonvolatile memory），邏輯運(yùn)算（...
憶阻器測試 2022-09-29

智能傳感器：模擬傳感器數(shù)據(jù)泛濫問題何解？

編者按：模擬接口是溝通物理世界與數(shù)字世界的橋梁。我們能夠通過模擬信號(hào)去處理的信息，僅為物理世界中存在信息的一萬萬億分之一，因此，社會(huì)需要模擬技術(shù)基礎(chǔ)研究能快速發(fā)展。新的傳感技術(shù)成為必需品，例如聯(lián)動(dòng)傳感（sensing to action）、模擬“人工智能”平臺(tái)、類腦／神經(jīng)形態(tài)和分層計(jì)算，以及...
智能傳感器模擬傳感器 2021-05-19

走向MCU的新型存儲(chǔ)

天我們來聊下新興的非易失性存儲(chǔ)器（eNVM）的進(jìn)展，在談eNVM之前，就不得不先談起嵌入式閃存（eFlash）。現(xiàn)在幾乎所有的MCU細(xì)分市場現(xiàn)在都使用eFlash解決方案。什么是嵌入式閃存？內(nèi)置微控制器、SoC等元件的閃存一般為稱為“嵌入式閃存”。它與獨(dú)立式（Standalone）存儲(chǔ)器的最大區(qū)別在于是否將CM...
MCU存儲(chǔ)器嵌入式閃存 2021-02-07

SOC，你真的搞懂它了嗎？

SoC的全稱叫做：System-on-a-ChIP，中文意思是“把系統(tǒng)做在一個(gè)芯片上”，你可以想像成PC時(shí)代的電腦核心CPU，在智能終端時(shí)代，手機(jī)的核心就是這個(gè)SoC。它包含了計(jì)算機(jī)上的大部分部件。顧名思義，這是一個(gè)在硅芯片上制造的整個(gè)系統(tǒng)。SoC的美妙之處在于它將所有組件集成在一個(gè)襯底上。在半導(dǎo)體中，襯...
SoC 2021-01-07

安全閃存在網(wǎng)聯(lián)汽車和工業(yè)應(yīng)用的重要性

摘要——隨著汽車和工業(yè)市場中自動(dòng)化和互聯(lián)革命的推進(jìn)，邊緣節(jié)點(diǎn)正在迅速成為網(wǎng)絡(luò)攻擊的目標(biāo)。軟件更新、遠(yuǎn)程捕獲診斷數(shù)據(jù)以及遠(yuǎn)程端點(diǎn)與基礎(chǔ)設(shè)施之間的通信變得越來越普遍，因此容易遭受網(wǎng)絡(luò)攻擊和其它安全威脅。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，工藝尺寸不斷縮小，將閃存嵌入到包含硬件安全模...
cHardware安全模塊安全閃存智能閃存信任根可信執(zhí)行環(huán)境 2020-08-27

如何一步一步設(shè)計(jì)反激變換器

　　　然而，嵌入式非易失性閃存IP的未來擴(kuò)展在更高級(jí)的節(jié)點(diǎn)上是無效的。一些替代的存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)被作為“閃存的替代品”來追求，例如相變存儲(chǔ)器(PCM)材料，電阻變化存儲(chǔ)器(RRAM)，自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩磁阻存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。這些技術(shù)提供了密集的位單元(“1T1R”)，并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作...
反激變換器靜態(tài)電阻脈沖電流 2020-07-01

嵌入式 MRAM的高性能應(yīng)用

　　總結(jié) 　　一種新型自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩磁阻存儲(chǔ)器(STT-MRAM) IP為高性能嵌入式應(yīng)用提供了一個(gè)有吸引力的選擇。　　介紹　　如今，社會(huì)上廣泛的應(yīng)用程序都迫切需要嵌入式非易失性內(nèi)存IP。　　embedded memory requirements 　　然而，嵌入式非易失性閃存IP的未來擴(kuò)展在更高級(jí)的節(jié)點(diǎn)上是無效的。一...
嵌入式MRAM存儲(chǔ)器非易失性內(nèi)存IP 2020-06-30

脈沖測試

實(shí)際的應(yīng)用中，RRAM的激勵(lì)源是脈沖信號(hào)。因此，脈沖測試的優(yōu)化對(duì)RRAM器件來說更為重要。一個(gè)典型的RRAM器件的脈沖循環(huán)測試如圖所示，執(zhí)行完一次SET脈沖操作，進(jìn)行一次讀脈沖驗(yàn)證；再執(zhí)行一次RESET脈沖操作，再進(jìn)行一次讀脈沖驗(yàn)證。常規(guī)的SET脈沖和RESET脈沖信號(hào)都是簡單的矩形波，但是往往得不到...
2017-09-12

阻變存儲(chǔ)器

阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的基本結(jié)構(gòu)為上下電極以及電阻轉(zhuǎn)變層組成的“三明治”結(jié)構(gòu)，如圖所示。電阻轉(zhuǎn)變層材料在電激勵(lì)的作用下會(huì)出現(xiàn)不同電阻狀態(tài)，以此來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。這和相變存儲(chǔ)器類似，但不同的是相變存儲(chǔ)器中采用相變材料，在電阻變化過程中材料的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化；而在RRAM中，電阻變化過程...
2017-08-30

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