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↓在全部中搜索到 75 條關于“UnitedSiC”的信息，用時:0.030 sec.

使用 SiC JFET 接近完美開關

碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性能相...
SiC JFET開關技術 2022-12-16

為什么礦機電源對效率和可靠性要求越來越高

數字加密貨幣通過特定的計算過程生成，俗稱“挖礦”。“挖礦”特別考驗算力與功耗，單位功耗下算力越高，則代表“挖礦”能力越強，雖然礦機芯片廠商在不遺余力地提升算力，但由于挖礦規模不斷擴大，其消耗的總電量相當驚人且在持續增長。據CryptoMonday估算，單筆比特幣交易，大約消耗2,165度電，而據劍...
礦機電源電源管理 2022-12-09

提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構顯示出多項優勢）

碳化硅功率器件在功率轉換效率、改進的高溫性能和使用更簡單的電路拓撲結構方面比硅功率器件具有多項優勢。在電動汽車牽引逆變器、DC/DC 轉換器和車載充電器 (OBC) 等一些需求旺盛的關鍵應用領域，器件特定的導通電阻 ( R DS(on) × A，其中A是傳導面積）是影響器件電容的關鍵品質因數 (FOM)，從而影響硬...
電源轉換器碳化硅功率器件 2022-12-07

TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討

Stephen Russell作者：Stephen Russel (單位：TechInsights的Sr. Process Analyst_Power Devices)合著作者：Ramya Cuduvally（單位：CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院）Brian Langelier（單位：CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院）去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，...
TechInsights碳化硅器件 2022-12-07

還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優勢！

摘要高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。正文在功率電子器件領域，工程師們夢想有一種完美的半導體開關，它沒有導電損耗和開關損耗，電壓無窮大，沒有漏電且易于驅動。不幸的是，物理學告訴我們，它僅僅存在...
SiC FET功率器件 2022-11-11

SiC FET神應用，在各種領域提高功率轉換效率

寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。高效是所有功率轉換的共同目標，高效能夠節省成本和電力，減少環境影響，讓器件更小更輕，打造更可靠的設備和更好的功能。對于最新的和新興的應用...
SiC FET寬帶隙半導體功率轉換 2022-11-01

新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率

如果詢問任何功率電子器件設計師他們追求什么，轉換效率通常都會名列前茅。高效率不僅能節能，還有附帶好處，即打造更小、更輕、更便宜的產品，而釋放的空間還可用于提高可靠性和增加功能。實際上有些應用受益匪淺，如電動車，它的單次充電行駛里程會有所提高，還有數據中心，其中的電子器件和必要空調...
功率轉換SiC－FET 2022-09-30

SiC – 速度挑戰

功率轉換器可以使用不同技術的寬帶隙半導體，人們常常會比較這些半導體的開關速度和邊緣速率。速度越快，支持的運行頻率就越高、損耗就越低，功率轉換器磁性元件就越小，聽上去很美好。而在真實世界中，更快的dV/dt和di/dt也會成為一個問題，使您難以滿足EMI規格要求——極小的軌道值或寄生電感以及電路...
功率轉換器SiC FET 2022-08-09

寬帶隙半導體開關：緩慢的開關沿可減少過沖和EMI

作者：Peter Losee 在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiCMOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關，這兩種器件類型在某些方面都有局限性，特別是在柵極驅動要求和“第三象限”操作方面。SiC FET是替代選擇但是，還有另一種選擇。Uni...
寬帶隙半導體開關Si MOSFET 2022-05-23

充分挖掘SiC FET的性能

功率轉換器的性能通常歸結到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術能兼顧這兩點。性能是一個主觀術語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉換界，它歸結為兩個相互依賴的主要值，即效率和成本。現在，作為半導體開關材料，硅在導電和動態損耗性能方面已經到達了極限，這...
SiC FET功率轉換器 2022-03-10

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