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↓在全部中搜索到 612 條關于“FinFET??”的信息，用時:0.032 sec.

大聯大友尚集團推出基于onsemi和NXP產品的機器視覺方案

致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）AR1335圖像傳感器和恩智浦（NXP）i.MX 8M Plus處理器的機器視覺方案。圖示1-大聯大友尚基于onsemi和NXP產品的機器視覺方案的展示板圖隨著城市化進程的加速推進和科技發展的日新月異，智慧城市...
大聯大友尚集團onsemiNXP產品機器視覺方案 2024-11-20

“環抱”晶體管與“三明治”布線

在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃，加速實現在2025年推出尖端的制程節點Intel 18A。今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點，也將用于Intel 18A。RibbonFET：柵極“...
晶體管Intel－18A英特爾RibbonFET 2024-09-13

如何利用低功耗設計技術實現超大規模集成電路（VLSI）的電源完整性？

本文要點• 超大規模集成電路 (Very large scale integration，VLSI) 是一種主流的集成電路 (IC) 設計模式。• 芯片尺寸微型化有助于降低單個晶體管的功耗，但同時也提高了功率密度。• 先進封裝的低功耗設計趨勢勢頭未減，而更新的技術有助于在不犧牲計算性能的情況下降低器件的功耗。...
VLSICadence集成電路電源完整性 2024-09-06

降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術

摘要：使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現電阻的大幅降低封面圖：正文：作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是...
半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-08-15

新一代4D成像雷達性能出眾，價格合理

作者：Huanyu Gu 現在，OEM和一級供應商可以更輕松地獲取價格合理且性能可靠的成像雷達傳感器技術。恩智浦和賽恩領動聯合開發的入門級量產4D成像雷達為這項技術提供了有力證明。雷達在現代汽車的功能安全中至關重要。近年來，汽車雷達市場一直需要平衡性能和成本的入門級汽車成像雷達解決方案。全球...
4D成像雷達雷達傳感器技術 2024-03-20

LPDDR5X來襲！準備迎接內存速度大爆炸！

無論是切換智能手機應用程序，還是享受沉浸式游戲體驗，都有可能遇到系統內存訪問速度慢的問題。如果汽車的自動制動系統不能及時響應前方道路上的障礙物，問題是很嚴重的。如今，智能、互聯和帶寬密集型應用依賴于超快、低延遲的內存訪問，以實現我們日常生活所依賴的一系列功能。那么，什么樣的技術能...
LPDDR5X內存新思科技 2023-12-20

模擬 IP 集成中的常見芯片問題

盡管過去十年人們擔心摩爾定律終會走到盡頭，但微電子行業通過持續的創新和創造力，繼續適應新的物理約束和產品要求。大部分創意能量都投入到了模擬、射頻和混合信號模塊作為嵌入式 IP 的開發中。圖 1該框圖突出顯示了多媒體 SoC 設計。P2F Semi 現在可用的模擬/射頻/混合信號 IP 的選擇既廣泛...
模擬 IP集成 2023-11-03

大聯大詮鼎集團推出基于Qualcomm和Thundercomm產品的智能廣告顯示屏方案

2023年9月14日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于高通（Qualcomm）QCS610芯片和創通聯達（Thundercomm）Turbox C610 Open Kit的智能廣告顯示屏方案。圖示1-大聯大詮鼎基于Qualcomm和Thundercomm產品的智能廣告顯示屏方案的展示板圖在LED、大數...
大聯大詮鼎集團QualcommThundercomm 2023-09-14

晶體管的第一個76年：變小了，卻變大了？

1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重要組成部分。晶體管被譽為20世紀最偉大的發明之一，它改進了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設備的發展奠定了基礎，也為人們帶來了便捷高...
CMOS晶體管芯片設計 2023-06-20

功率MOSFET基本結構：平面結構

作者：劉松功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫...
功率MOSFET基本結構 2023-06-09

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