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↓在全部中搜索到 1694 條關于“Vishay”的信息，用時:0.034 sec.

Vishay為汽車和工業應用，進一步強化精密薄膜片式電阻陣列性能

Vishay 增強其ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密薄膜片式電阻陣列的性能，更嚴格的公差、相對公差和相對TCR達到新的S、T和U等級。ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT在一個襯底上分別提供2個和4個集成的電阻，成本低于使用多個高精度分立電阻的方案，同時其穩定的分壓比提高了應用的穩定性。為提高精度，Vis...
ACAS 0606 ATACAS 0612 ATVishay薄膜片式電阻陣列 2013-05-22

Vishay推出新款高可靠性版本電容器Vishay Sprague 13008系列

Vishay推出新款通過Defense Logistics Agency (DLA)---美國國防后勤局 Specification 13008認證的新款高可靠性版本電容器--- Vishay Sprague 13008系列，擴大其TANTAMOUNT® 597D系列商用固鉭片式電容器。Vishay Sprague 13008系列采用Vishay獨有的高壓電介質成形工藝，是軍工和航天應用中+28V電源的...
VishayVishay Sprague 13008... 2013-05-21

Vishay推出新型高速850nm紅外發射器VSMG10850和940nm紅外發射器VSMB10940

Vishay推出新型高速850nm紅外發射器--- VSMG10850和940nm紅外發射器--- VSMB10940，以及匹配封裝、對780nm～1050nm輻射非常敏感的高速硅PIN光電二極管---VEMD10940F，擴大其光電子產品組合。這些器件均具有±75°的超寬半強角，小尺寸側視表面貼裝封裝的尺寸為3mm x 2mm，高度僅有1mm。今天發布的這些...
VishayVSMB10940VSMG10850紅外發射器 2013-05-15

Vishay推出反向電壓高達1000V的單相橋式整流器

Vishay推出4款新型1A微型玻璃鈍化的單相橋式整流器，這些器件采用典型高度1.4mm的表面貼裝MBLS封裝。MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S的反向電壓高達1000V，非常適合智能手機充電器的AC/DC全波整流。今天發布的Vishay General Semiconductor器件的最高峰值反向電壓等級為400V(MBL104S)、600V(MB...
MBL104SMBL106SMBL108SMBL110SVishay單相橋式整流器 2013-05-10

Vishay的T16系列液鉭電容器滿足航空、航天應用需求

Vishay 宣布，其采用glass-to-tantalum密封條的T16系列液鉭電容器現可供貨，有A、B、C和D四種外形代碼。對于航空和航天應用，這些加固過的器件具有更好的耐振動（正弦周期振動：50g；隨機振動：27.7g）能力。 Vishay的T16電容器具有該公司SuperTan®系列器件的全部優點，+85℃下的反向電壓為1.5V...
T16系列Vishay液鉭電容器 2013-05-08

Vishay為用戶提供免費的Android軟件

Vishay宣布，為用戶提供免費的Android™軟件，簡化在任何運行Android 4.0.1或更高版本軟件的移動設備中使用該公司VCNL4020和VCNL3020全集成接近和環境光傳感器的過程。VCNLx020 Android軟件大大減少了給一個使用VCNL4020和VCNL3020的Android設備編程所需的時間，不需要進行調試，讓使用Vishay的數...
Android軟件VCNL3020VCNL4020Vishay 2013-05-07

Vishay推出P溝道高邊負載開關SiP32458和SiP32459

Vishay推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負載開關--- SiP32458和SiP32459。這兩款器件均具有一個集成的可提供穩定的20mΩ低導通電阻，同時保持低靜態電流的柵極泵。器件采用小尺寸6凸點晶圓級CSP封裝(WCSP6)，將4.5V下的導通電壓上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪聲敏...
P溝道高邊負載開關SiP32458SiP32459Vishay 2013-05-06

Vishay Siliconix 擴展ThunderFET的電壓范圍

Vishay發布新款采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET®技術的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。...
MOSFETSiR872ADPThunderFETVishay Siliconix 2013-04-23

Vishay推出超高精度Z箔表面貼裝電流感應芯片電阻器

Vishay Precision Group, Inc. announced that its Vishay Foil Resistors brand (VFR) has released a new ultra-high-precision Z-Foil surface-mount current sensing chip resistor that is the industry’s first such device to combine a high power rating of 1 W at +70°C and low TCR of ±0....
VishayZ箔表面貼裝電流感應芯片電阻器 2013-04-16

Vishay 推出能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M

Vishay 推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊上，容量從0.047µF到10µF，可在+105℃高溫下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7個電壓等級。 MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電...
VishayVishay Roederstein M...緩沖電容器聚丙烯膜 2013-04-08

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