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共模半導體重磅發布高效率小尺寸降壓電源模塊GM6506系列產品

共模半導體正式發布其最新一代電源管理芯片—GM6506系列，這是一個完全集成的高頻同步整流降壓電源模塊，內部集成了電感和多個關鍵器件，簡化了電路設計。這款芯片憑借其卓越的性能、低功耗設計以及廣泛的應用場景，為各種高要求的電源應用提供了理想的解決方案。無論是光通信、服務器、電信，還是工業...
共模半導體GM6506降壓電源模塊 2025-03-03

共模半導體推出基于Turbo Switch技術的小體積、高效、低 EMI、同步 6A 降壓變換器

小體積、高效、低EMI、同步6A降壓變換器GM2500GM2500是一個小體積、高效、低 EMI、同步 6A 降壓DC/DC變換器，其中LQFN-12封裝的芯片體積為 2mm x 2mm x 0.74mm，是業界目前最小尺寸的5V/6A降壓芯片。采用共模獨有的Turbo Switch技術，GM2500可工作于高達9MHz的開關頻率，使得該產品能夠實現超高的...
共模半導體GM2500同步降壓變換器 2024-12-03

共模半導體推出基于Turbo Switch技術的小體積、高效、低 EMI、同步 6A 降壓變換器GM2500

共模半導體推出基于Turbo Switch技術的小體積、高效、低 EMI、同步 6A 降壓變換器GM2500，可替代ADI的LTC3309、LTC3308、MPS的MP2145等多系列產品GM2500是一個小體積、高效、低 EMI、同步 6A 降壓DC/DC變換器，其中LQFN-12封裝的芯片體積為 2mm x 2mm x 0.74mm，是業界目前最小尺寸的5V/6A降壓芯片。采...
共模半導體Turbo Switch技術EMI降壓變換器降壓芯片 2024-10-18

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產品線增添1200 V新成員，其將助力工業電源設備實現高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。東芝現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品...
東芝第3代SiC肖特基勢壘二...TRSxxx120Hx系列 2024-09-25

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

器件采用MPS結構設計，額定電流5 A~ 40 A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力...
Vishay肖特基二極管SiC開關電源設計 2024-07-01

Nexperia的650 V SiC二極管產品組合現可滿足汽車和更廣泛的工業應用需求

符合汽車標準的肖特基二極管現采用R2P DPAK封裝Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現已符合汽車標準(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動汽車和其他汽車中的多種應用。此外，為了進一步擴展其SiC二極管產品組合，Ne...
Nexperia650 V SiC二極管工業級器件 2024-06-13

Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、...
Vishay開關電源設計肖特基二極管 2023-05-23

Nexperia針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的650 V碳化硅二極管

合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰，包括開關模式電源、...
Nexperia電源轉換應用650 V碳化硅二極管 2023-04-20

Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用能效

日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出十款新型650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，通過降低開關損耗提升高頻應用能效，不受溫度變化的影響—從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。日前發布的MPS二極...
Vishay 2021-01-28

Vishay推出650V SiC肖特基二極管，提高了高頻應用的效率

Vishay Intertechnology，Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）今天推出了10個新的650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基（MPS）設計，旨在通過降低開關損耗來提高高頻應用的效率，而不受溫度變化的影響，從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。 ...
Vishay 2021-01-26

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