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應(yīng)用開發(fā)

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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片，保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動

意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。 L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦...
意法半導(dǎo)體隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片L6983i 2023-05-16

納微半導(dǎo)體發(fā)布新一代650V MPS SiC碳化硅二極管

專有的“低門檻電壓”技術(shù)帶來更好的溫控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二極管實(shí)現(xiàn)更高速、更高效的性能唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、太陽能和消費(fèi)電子等要...
納微半導(dǎo)體碳化硅功率二極管 2023-05-12

瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全新柵極驅(qū)動IC支持1200V功率器件，隔離電壓為3.75kVrms 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆...
柵極驅(qū)動IC瑞薩電子 2023-01-30

貿(mào)澤電子開售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件™的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo®收購）的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET，為過流保護(hù)電路、DC-AC逆變器、開關(guān)電源、功率因數(shù)校正...
貿(mào)澤電子QorvoUnitedSiCUF3N170400B7S 2022-04-29

Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性

牽引功率單元（TPU）、輔助動力裝置（APU）、固態(tài)變壓器（SST）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案的系統(tǒng)設(shè)計人員需要借助高壓開關(guān)技術(shù)來提高效率和可靠性，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出業(yè)界導(dǎo)通電阻【RDS(on)】最低的3...
microchipSiC功率器件碳化硅 2022-03-23

Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號POWI）今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch™3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率...
Power Integrations開關(guān)ICInnoSwitch3 2022-02-15

Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動器

電動出行和可再生能源系統(tǒng)需要能夠提高性能效率和加快開發(fā)時間的電源管理解決方案。為滿足這些要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布與Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計。Mersen是一家為包括電動出行和能源儲存在內(nèi)的眾多工業(yè)行業(yè)提供電源管理解決方...
microchipMersen SiC電源柵極驅(qū)動器 2021-12-09

貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起開始備貨Qorvo®QPD0011高電子遷移率晶體管(HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款...
貿(mào)澤QorvoQPD0011 2021-08-23

Power Integrations推出600V Qspeed二極管可替代汽車應(yīng)用中的SiC元件

PI通過AEC-Q100認(rèn)證的最新Qspeed二極管具有所有600V硅二極管中最低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。QH12TZ600Q二極管擴(kuò)充了我們的汽車級二極管產(chǎn)品陣容，具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關(guān)損耗性能，但并不會增加成本。汽車車載充電器應(yīng)用需要更高的開關(guān)頻率以減小體積和重量。我們的QH12TZ600Q二極管在25°C...
Power600V QspeedQH12TZ600Q 2021-08-06

Integra推出首款100V射頻氮化鎵產(chǎn)品/碳化硅(SiC)技術(shù)

Integra今天推出業(yè)界首創(chuàng)的100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù)，此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。在100V工作時，此項(xiàng)技術(shù)通過單個氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率，打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比，Integr...
Integra 2021-07-16

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