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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.036 sec.

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源

效率超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代電源方案，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)...
納微半導體數(shù)據(jù)中心服務器電源 2024-11-12

25 kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調(diào)制方案和反饋

作者：安森美(onsemi) Karol Rendek, Stefan Kosterec在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。圖1.25kW電動汽車直流充電樁的高級框圖。第五部分則將從另一個維度深入探討充電樁設計，我們將針對此類系統(tǒng)的...
電動汽車充電樁直流快充設計 2022-06-16

Littelfuse碳化硅(SiC)肖特基二極管降低能源成本和空間要求

提高電源轉(zhuǎn)換效率可為數(shù)據(jù)中心、電動車充電器和可再生能源系統(tǒng)削減成本Littelfuse公司，今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管，擴充其碳化硅電源半導體產(chǎn)品組合。相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電...
GEN2碳化硅肖特基二極...電動車充電器 2018-06-22

GeneSiC推出全SiC連接晶體管整流器（4引線微型模塊合裝）

碳化硅（SiC）杜勒斯，VA的功率半導體供應商安森美半導體GeneSiC公司，美國已宣布GA50SICP12-22720MΩ/ 1200V碳化硅結型晶體管，二極管的可用性在一個孤立的SOT-227 4引線微型模塊封裝，使極低導通，而在高頻電源轉(zhuǎn)換器，提供靈活的，模塊化設計的能源損失。采用高頻率，高電壓和低導...
二極管整流器晶體管 2015-05-18

Cree公司的首款900V SiC MOSFET重新定義分立功率MOSFET

科銳公司（Nasdaq：CREE）市場的領導者在碳化硅（SiC）功率的產(chǎn)品，推出了其最新突破SiC功率器件技術：業(yè)界首款900V MOSFET平臺。優(yōu)化用于高頻功率電子應用，包括可再生能源逆變器，電動汽車充電系統(tǒng)，以及三相工業(yè)電源，新900V平臺使得體積更小，效率更高的下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的成本奇偶硅為基礎的解決...
MOSFET平臺再生能源逆變器電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)電動汽車充電系統(tǒng) 2015-05-14

Microsemi推出新型750W GaN on SiC RF功率晶體管

Microsemi推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor，HEMT)技術的射頻(radio frequency，RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目...
750W RF晶體管Microsemi碳化硅 2013-10-08

Microsemi推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電...
1200VMicrosemi碳化硅肖特基二極管系列 2012-11-21

SiC

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ...
2010-11-29

Infineon推出第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管

飛凌科技股份公司宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結到散...
infineon肖特基二極管 2010-05-20

Transic推出SiC 20-A，600-V常閉晶體管

BitSiC0620開關電源雙極晶體管是一款SiC 20-A，600-V常閉晶體管。BJT具有低集射極飽和電壓，相比于Si IGBT技術而言，在相同的芯片面積情況下降低了60%的開態(tài)功耗。三極管具有30A的一個最大電流增益和600V的開放式擊穿電壓，其工作范圍在-80° 到250°C。該芯片是Si IGBT的替代方案，可應用于需要低功耗...
BitSiC0620開關電源雙極晶體管開放式擊穿電壓 2008-05-23

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