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↓在全部中搜索到 3094 條關于“FET”的信息，用時:0.040 sec.

--BBS主題帖: 基于ARM的微弱信號采集系統的設計

摘要：為提取噪聲背景下的微弱信號，提出了一種硬件與軟件相結合的實現方案。采用儀表放大技術和單片機控制技術相結合對數據進行檢測和處理。該系統優化硬件調理電路設計，保證采集數據的精度要求。利用ARM實現基于數字相關的算法，改善信噪比，有效恢復淹沒于強背景噪聲中的微弱信號。最后通過對模擬低...
2015-01-27

--BBS主題帖: 一種無刷直流電機電流高精度采樣及保護電路的設計

在無刷直流電機控制系統中，[url=http://www.eechina.com/keyword/%E7%94%B5%E6%B5%81]電流[/url]采樣及保護[url=http://www.eechina.com/keyword/%E7%94%B5%E8%B7%AF]電路[/url]作為其中的一個反饋環節，作用是對電機運行時的電流進行實時檢測采集，經過處理后，把電流信號轉換為控制系統可以識別的小...
2015-01-27

--BBS主題帖: 一種用于測試電容的電路

[font=微軟雅黑, Tahoma,] 電解電容會隨時間而泄漏。圖1中的電路可以用來測試電容，決定它們是否值得使用。通過CREF/RREF比值可以設定對泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測試，從1nF的陶瓷電容，到1000μF的電解電容。電路中，CREF的值接近于待測電容值CX。另外也可以用旋轉切換的方法選擇...
2015-01-26

--BBS主題帖: 電源技巧：一個小小的疏忽就會毀掉EMI性能

[color=#000][font=Arial,]作者：Robert Kollman，[/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/%E5%BE%B7%E5%B7%9E%E4%BB%AA%E5%99%A8]德州儀器[/url][color=#000][font=Arial,]高級應用經理[/font][/color] [color=#000][font=Arial,]在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF[/font][/...
2015-01-26

--BBS主題帖: 何時電源模塊是正確的選擇？

[color=#333333][font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體]和我一樣，也許你常常會發現自己面臨相當緊張的項目最后期限要求。舉例來說，你的經理剛給你布置了為一個新電信系統設計電源的任務。設計從在FPGA上實現的概念證明開始，現在到了必須創造電源的時候。一個隔離式[/font][/color][b]電源模塊[/...
2015-01-23

--BBS主題帖: 電子技術解密：簡化FPGA電源設計方案

[font=宋體, arial]FPGA即現場可編程門陣列，它是一種多電源需求的芯片，在電子技術設計中常見電子芯片，那么在對其供電的時候肯定對電源設計的要求也是嚴格的，多電源設計是復雜的，我們要FPGA高效運行需要簡化電源設計，節約成本，下面即是具體的電源設計方法。[/font] [font=宋體, arial]　[b]　FP...
2015-01-23

--BBS主題帖: 基于繼電器MLX81150的車窗/天窗設計

[font=微軟雅黑, Tahoma,]汽車電動車窗和天窗主要由升降控制開關、電動機、升降機構和繼電器等組成，它是利用開關控制電動機的電流方向，實現車窗和天窗的升（關）降（開）。車窗和天窗電動機都是雙向的，通過改變輸入電樞繞組的電流方向使電動機以不同的方向旋轉。每個車窗和天窗都有一個電動機，...
2015-01-22

--BBS主題帖: 基站對高集成度低噪放的要求

隨著無線寬帶系統的頻率帶寬越來越寬，基站性能的要求也越來越高。低噪放，作為基站塔放中的關鍵器件之一，它不僅影響基站的覆蓋范圍，而且也決定了其他鄰近基站的發射功率和雜散要求。安華高的高集成度低噪放，例如MGA-63X系列，具有好的噪聲系數和線性度，完全可以滿足此類基站的要求。目前，一個...
2015-01-22

麥克風工作原理是什么？

一切都在不知不覺之間悄悄地改變著。就連麥克風這樣一個不起眼的小零件，也正在悄無聲息地演化著。近幾年來，在手機等高端應用中，傳統的駐極體電容麥克風正在被MEMS器件所取代。麥克風簡史麥克風，學名為傳聲器，由Microphone翻譯而來。傳聲器是將聲音信號轉換為電信號的能量轉換器件，也稱作話...
2013-09-05

如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術

本文是專為功率系統設計工程師及工程經理而設的連載文章的第一章。我們在未來數個月將介紹應用于電源轉換的氮化鎵技術，并討論其基本設計及輔以應用范例。硅器件已稱王多時，現在我們可利用一個全新技術替代它!氮化鎵啟航HEMT(高電子遷移率晶體管)氮化鎵(GaN)晶體管大約最早在二零零四年出現，當時日本...
2013-09-04

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