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應(yīng)用開發(fā)

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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

早期的電動(dòng)汽車 (EV) 由于難以存儲(chǔ)足夠的能量來驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的主驅(qū)電機(jī)，行駛里程較為有限。為了延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車制造商增加了車輛電池的能量容量。然而，更大的電池意味著更長(zhǎng)的充電時(shí)間。要能快速高效地為電動(dòng)車更大的電池充電，電動(dòng)車才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年，市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車...
電動(dòng)汽車車載充電器SiC MOSFET 2023-05-25

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等...
寬禁帶半導(dǎo)體SiCGaN 2023-05-04

針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件

自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對(duì)于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電...
SiC 功率二極管寬帶隙半導(dǎo)體器件 2023-04-12

800V架構(gòu)，能治好電動(dòng)汽車用戶的“里程焦慮”嗎？

原來1.5小時(shí)，現(xiàn)在只需20分鐘就能將電動(dòng)汽車（EV）從5%的荷電狀態(tài)（SoC）充電至80%，這樣的電動(dòng)汽車充電方案你喜歡嗎？好消息是，這已經(jīng)不是“畫大餅”，保時(shí)捷Taycan通過采用全新的800V系統(tǒng)，就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了上述這個(gè)電動(dòng)汽車車主們心心念的愿望。對(duì)于電動(dòng)汽車而言，為了縮短充電時(shí)間、解決車主的里程焦慮...
電動(dòng)汽車SiC MOSFET 2023-02-21

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的...
碳化硅MOSFETSiC MOSFET 2023-01-18

先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲(chǔ)能系統(tǒng)

人們普遍認(rèn)識(shí)到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損...
碳化硅技術(shù)儲(chǔ)能系統(tǒng)SiC 2022-10-26

寬禁帶半導(dǎo)體：后摩爾時(shí)代超車絕佳賽道？

摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道，寬禁帶半導(dǎo)體成為后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體發(fā)展的“蹊徑”之一，而在這一領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望實(shí)現(xiàn)彎道超車。寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導(dǎo)體”。采用SiC、GaN材料制備的半導(dǎo)體器件不...
寬禁帶半導(dǎo)體SiC 2022-10-20

新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率

如果詢問任何功率電子器件設(shè)計(jì)師他們追求什么，轉(zhuǎn)換效率通常都會(huì)名列前茅。高效率不僅能節(jié)能，還有附帶好處，即打造更小、更輕、更便宜的產(chǎn)品，而釋放的空間還可用于提高可靠性和增加功能。實(shí)際上有些應(yīng)用受益匪淺，如電動(dòng)車，它的單次充電行駛里程會(huì)有所提高，還有數(shù)據(jù)中心，其中的電子器件和必要空調(diào)...
功率轉(zhuǎn)換SiC－FET 2022-09-30

延時(shí)校準(zhǔn)、脈沖測(cè)試一定要做的事兒！

進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。基于雙脈沖測(cè)試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對(duì)開關(guān)過程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書、計(jì)算開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)...
延時(shí)校準(zhǔn)脈沖測(cè)試SiC MOSFET 2022-09-01

延時(shí)校準(zhǔn)，雙脈沖測(cè)試一定要做的事兒！

（本文轉(zhuǎn)載自公眾號(hào)：功率器件顯微鏡，分享給大家交流學(xué)習(xí)）進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。基于雙脈沖測(cè)試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對(duì)開關(guān)過程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開關(guān)特征...
雙脈沖測(cè)試SiC MOSFET開關(guān) 2022-08-26

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