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↓在全部中搜索到 55 條關于“ADALM2000”的信息，用時:0.027 sec.

測量反向偏置PN結(jié)的容值與電壓的關系

目標本實驗活動的目的是測量反向偏置PN結(jié)的容值與電壓的關系。背景知識PN結(jié)電容增加PN結(jié)上的反向偏置電壓VJ會導致連接處電荷的重新分配，形成耗盡區(qū)或耗盡層（圖1中的W）。這個耗盡層充當電容的兩個導電板之間的絕緣體。這個W層的厚度與施加的電場和摻雜濃度呈函數(shù)關系。PN結(jié)電容分為勢壘電容和擴散電容...
PN結(jié)反向偏置電壓 2022-08-01

學子專區(qū) — 活動：零增益放大器(MOS)

作者：ADI公司｜Doug Mercer，顧問研究員 Antoniu Miclaus，系統(tǒng)應用工程師目標本次活動是對11月份學子專區(qū)的延續(xù)；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個角度來研究零增益放大器的性能將頗有助益。材料► ADALM2000主動學習模塊► 無...
NMOS零增益放大器MOS晶體管 2021-08-06

運算放大器的建立時間分析

放大器或任何信號鏈的建立時間都定義為輸出信號響應輸入階躍信號，并保持在最終值附近的確定誤差帶內(nèi)所需的時間，參照輸入脈沖 50%點測得，如圖 1 所示。圖 1. 建立時間。 ● 誤差帶通常定義為步長百分比；例如，1%、0.5%、0.1%等。 ● 建立時間常常是非線性的；相比建立到 0.1%所需...
運算放大器階躍信號信號鏈 2020-05-08

實驗：PN結(jié)電容與電壓的關系

作者：Doug Mercer、Antoniu Miclaus ADI公司目標本實驗活動的目的是測量反向偏置PN結(jié)的容值與電壓的關系。背景知識 PN結(jié)電容增加PN結(jié)上的反向偏置電壓VJ會導致連接處電荷的重新分配，形成耗盡區(qū)或耗盡層（圖1中的W）。這個耗盡層充當電容的兩個導電板之間的絕緣體。這個W層的厚...
PN結(jié)電壓絕緣體 2019-11-25

世界是模擬的——我們應該如何從中獲得所需？

作者：Uwe Bröckelmann，EMEA（歐洲、中東和非洲）技術(shù)總監(jiān) 如果我們閱讀行業(yè)雜志或上網(wǎng)查詢，可能很快會產(chǎn)生這樣的印象：當今的世界是數(shù)字化的，模擬技術(shù)已成為過去。事實真是如此嗎？不完全是。每一個物理元素，無論是音頻信號還是溫度，都是一個模擬量；要測量或管理這些模擬量，都需要...
模擬技術(shù)半導體電路技術(shù)數(shù)字信號 2019-10-17

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