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↓在全部中搜索到 3094 條關于“FET”的信息，用時:0.038 sec.

EPC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉換器

EPC公司和ADI公司推出參考設計，采用全面優化的新型模擬控制器來驅動EPC的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN®FET相結合，可實現高達2 MHz的開關頻率，從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC...
ADIDC DC轉換器EPCGaN FET 2022-03-16

EPC與MPS合作開發基于新型GaN FET的更高效、更小、更快的雙向轉換器

EPC9165 是一款兩相、穩壓輸出電壓、48 V/14 V雙向轉換器，可實現2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9165，這是一款2 kW、兩相48 V/14 V雙向轉換器，在小尺寸內實現97%的峰值效率，非常適合具有高密度和高功率的48 V電池組，例如電動和輕型運輸所需的電池組。 ...
EPCMPSGaN FET雙向轉換器 2022-02-21

UnitedSiC推出業界最佳6mΩ SiC FET

領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，現已發布業界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發布的產品包括750...
UnitedSiC6mΩ SiC FET 2021-09-14

聯合碳化硅基于第四代先進技術推出新型SiC FET器件

領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，現已基于其第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領先的品質因數（FoM）實現了新的性能水平，從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正（PFC）...
聯合碳化硅SiC FET 2020-12-01

UnitedSiC推出具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET

美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時具有業界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標準硅器件，使工程師可以采用比分立設計方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構建開關電路。 ...
UnitedSiCSiC FET器件DFN 8x8表面貼裝封裝 2020-02-04

貿澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅動器高頻應用的好選擇

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產品系列，與傳統硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統尺寸，并...
貿澤TI LMG1210 MOSFETGaN FET驅動器 2019-09-26

UnitedSiC在UF3C“FAST”FET產品系列中新增4引腳Kelvin器件

新型功率半導體企業美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布進一步擴展UF3C FAST產品系列，新增采用TO-247-4L4引腳Kelvin Sense分立封裝選項的1200V高性能SiC FET器件。新產品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型導通電阻（RDS（on）），使4引腳FAST系列器件的總數達到6個，并將整個系列的導通電阻范圍從...
UF3C FAST SiC系列UF3C120150K4SSiC FET器件 2019-06-21

TI推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側FET驅動器

TI推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側FET驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動能量存儲系統，以及電機驅動型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。電感性瞬變事件是電機驅動型應用中可能發...
TI單芯片100V高壓側FET驅...高功率鋰離子電池 2016-02-22

東芝推出DMOS FET晶體管陣列及業界首款1．5A漏輸出驅動器

東芝公司（東京證券交易所：6502）半導體＆存儲產品公司今天宣布推出新一代高效晶體管陣列時，TBD62064A系列和TBD62308A系列，以DMOS FET [1]類型sink-輸出[2]的驅動程序。新系列取得成功TD62064A系列和TD62308A一系列發現中應用廣泛的應用，包括電機，繼電器和LED驅動器，并且是業界第一個[3] DMOS FE...
1．5A漏輸出驅動器DMOS FET晶體管陣列東芝 2015-12-18

EPC推出eGaN功率IC,具有集成自舉FET

埃爾塞貢多，CA，USA，這使得增強型氮化鎵上硅高效電源轉換公司（EPC）（的eGaN）功率場效應晶體管（FET）電源管理應用，推出了EPC2107（100V）和EPC2108（ 60V）的eGaN單片半橋功率集成電路具有集成自舉場效應管，消除柵極驅動誘導的反向恢復損失以及需要一個高邊鉗位。 EPC說，這是第一次，自舉FET已...
eGaN單片半橋功率集成...EPCEPC2107EPC2108FET功率場效應晶體管 2015-07-17

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