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↓在全部中搜索到 58 條關于“RRAM”的信息，用時:0.029 sec.

英飛凌推出全新 PSoC Edge產品系列，擴展微控制器產品組合，為邊緣應用帶來高性能、高能效的機器學習技術

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于近日宣布推出全新的PSoC™微控制器（MCU）產品系列，即PSoC™ Edge。PSoC™產品組合是英飛凌基于Arm® Cortex®內核打造的高性能且低功耗的安全器件。PSoC Edge 專為新一代實時響應計算和控制應用而設計，并提供由硬件輔...
英飛凌PSoC Edge產品系列PSoC 微控制器（MCU） 2023-11-29

阻變存儲器集成

作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使...
2016-10-12

三維集成結構

RRAM的三維集成結構體系主要有兩種：一種是多層堆疊交叉陣列結構，即把二維交叉陣列結構重復制備，堆積多層形成，如圖(a)所示；另一種方法是垂直交叉陣列結構，把傳統的水平交叉陣列結構轉90°，并在水平方向重復延伸形成垂直結構三維陣列，如圖(b)所示。多層堆疊結構是一種可以從二維平面結構轉移...
2016-08-05

有源陣列結構

對單管RRAM存儲器件，RRAM阻變存儲器從高阻態向低阻態轉換時，通常要在器件兩端施加限制電流。主要是因為在RRAM存儲器件從高阻態轉變到低阻態后，流經器件的電流會突然增大，如果不在器件兩端設置一定的限制電流，會造成器件的永久擊穿。為了實現RRAM存儲器件在從高阻態向低阻態轉變過程中...
2016-08-04

電化學金屬化機制

電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象...
2016-08-04

固態電解質材料

固態電解質材料通常是快離子導體，一般為含有Ag和Cu的硫系化合物。將固態電解質材料夾入易氧化金屬電極(如Ag和Cu等)和惰性金屬電極(Pt、W和IrQ2等)之間形成三明治結構，構建了RRAM領域內一種非常重要的存儲器類型，通常被稱為PMC(programmable metallization cell)。或CBRAM(conductiv...
2016-08-04

無源陣列結構

相比于有源結構單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結構被認為是存儲器最經濟的集成方式。在交叉陣列結構中，通過相互交叉的字線和位線構成的上下電極來實現存儲單元的選擇。無源交叉陣列結構的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面...
2016-06-15

憶阻器

什么是憶阻器？憶阻器憶阻器的英文 Memristor 來自「Memory（記憶）」和「Resistor（電阻）」兩個字的合并，從這兩個字可以大致推敲出它的功用來。最早提出憶阻器概念的人，是華裔的科學家蔡少棠，當時任教于美國的柏克萊大學。時間是 1971 年，在研究電荷、電流、電壓和磁通量之間的關系時，蔡教...
2011-10-13

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