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↓在全部中搜索到 59 條關于“coolgan”的信息，用時:0.027 sec.

英飛凌推出用于超高功率密度設計的全新E型XDP 混合反激控制器IC

繼推出業界首款PFC和混合反激（HFB）組合IC后，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應用設計的全新XDP™混合反激數字控制器系列，采用先進的不對稱半橋（AHB）拓撲結構，將反激轉換器的簡易性和...
英飛凌E型XDP混合反激控制器... 2025-03-27

英飛凌推出采用Q－DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2，實現更高的功率密度

電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列...
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V... 2025-02-20

英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！

作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首...
英飛凌氮化鎵晶圓 2024-12-09

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司...
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 VAI服務器電源 2024-06-25

[原創]Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN 柵極驅動方案

Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強隔離高壓增強型GaN HEMT柵極驅動器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關在”開”態需要幾mA的連續柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關瞬態,需要負的”關”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關動態的占空比依...
電源管理柵極驅動器GaN HEMTInfineon1EDF5673K 2022-05-10

[原創]Infineon 1EDF5673K單路高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動方案

Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強隔離的高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動器.CoolGaN™和相近GaN開關在”開態”時需要連續柵極電流幾個mA,而由于低閾值電壓和極快開關瞬態,還需要負”關態”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器滿足這些要求,但是它依賴于開關動態的占空比特性和缺少負柵極驅動.Infine...
工業控制GaN HEMT柵極驅動器Infineon1EDF5673K 2021-01-13

[原創]Infineon 2EDN7(8)52x系列2500W圖騰柱全橋PFC解決方案

Infineon公司的2EDN752x/2EDN852x系列產品是先進的雙路氮化鎵驅動器,具有比硅器件有明顯的優越性,特別是它的更高的臨界電場是使得氮化鎵對功率半導體器件具有非常大的吸引力.和Si MOSFET相比,它的動態開態電阻和更小的電容值.因此,GaN HEMT晶體管具有更高的開關速度,更高的工作頻率,提高了功率密度和整...
電源管理AC／DC轉換器DC／DC轉換器開關電源GaN HEMTInfineon2EDN7(8)52x 2020-10-13

[原創]Infineon IGT40R070D1 E8220 400V GaN D類放大器解決方案

Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過在體二極管的零反向恢復電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開開關,理想的D類音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類放大器線...
D類放大器GaN HEMTInfineonIGT40R070D1E8220 2020-09-15

功率器件的標定及選擇

對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準確把握？是否真正在自己的電源設計中發揮最大的作用，缺少一種簡單經濟的評價方法。對于電源產品設計，大功率開關管的選擇是非常關鍵也是非常困難的。如何在系統調試之前對IGBT模塊特性進行測試，尤其基于橋式拓撲結構，在不同的負載條件測試IGBT及相應的...
IGBT模塊功率器件 2020-03-11

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