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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.040 sec.

聚焦器件可靠性、柵極驅動器創新和總體系統解決方案

作者：Orlando Esparza 圖源：sdecoret/Shutterstock.com 碳化硅（SiC）技術能在大幅提高當前電力系統效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實現SiC技術的愿景，開發人員必須從產品質量、供貨情況和服務支...
柵極驅動器SiC技術 2022-05-26

如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續擴大？

✦ 本文轉載自：21ic✦ 作者：劉巖軒ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導體領域進行了襯底技術收購、產能投資，擁有了全生產鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領域獲得成功的原因，如何排名市場前列的未來戰略規劃，以及對于整個寬禁帶器件行業的前景解讀...
碳化硅MOSFET寬禁帶器件SiCGaN 2022-04-20

如何在降低成本的同時讓能源基礎設施更加高效和可靠

作者：Jeff Shepard從電動汽車 (EV) 充電站和太陽能逆變器到能源儲存和不間斷電源系統，能源基礎設施的設計人員持續面臨著減少碳排放量、提高可靠性和降低成本的挑戰。為了實現這些目標，他們需要仔細研究如何優化其電源轉換解決方案，以減少傳導和開關損耗，保持良好的熱性能，減少整體外形尺寸，...
能源基礎設施SiC太陽能逆變器 2022-04-18

不用第三代半導體，如何實現更高的功率密度？

寬禁帶（第三代）半導體已被廣泛認可為提高電源功率密度和效率的重要途徑之一，傳統MOSFET真的就沒有發展空間了么？是不是所有新設計都需要轉向GaN或SiC？Vicor公司全球銷售及市場營銷業務副總裁Phil Davies在IEEE Power Electronics撰文，解釋了Vicor是如何通過改善拓撲結構，實現硅(Si) MOSFET的不斷...
寬禁帶半導體MOSFETSiCGaN 2022-03-09

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優劣勢對比

近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應用研發帶來了設計挑戰，因而業界對于碳...
碳化硅功率器件MOSFETSiC器件 2022-02-23

低邊開關關斷時的柵極－源極間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發...
SiC MOSFET低邊開關關斷時的柵極 2022-02-14

如何充分發揮碳化硅耐高溫的優勢？

隨著碳化硅(SiC)技術的發展，器件也在日趨成熟和商業化，其材料獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現在已開始研發200℃結溫的碳化硅器件。雖然碳化硅很耐高溫，但是高溫畢竟對器件的性能、故障率、壽命等都有很大的影響。帶著這個問題記者采訪了安森美(onsemi)汽車主驅功...
SiC技術碳化硅器件 2022-01-28

理想開關自身會帶來挑戰

隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。若要問功率轉換器設計師，他們想要怎樣的半導體開關，那回答可能是：“有低導通電阻、高關閉電阻，且兩種狀態間的轉換盡可能快?！碑斎?，這一想法...
碳化硅SiC FET半導體開關 2022-01-24

橋式電路的開關產生的電流和電壓

在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什么樣的電流和電壓。下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路，LS開關導通時的示例。電路圖中包括SiC MOS...
SiC MOSFET橋式結構柵極驅動電路LS開關導通 2022-01-21

低邊開關導通時的Gate－Source間電壓的動作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。SiC MOSFET低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方...
SiC MOSFET橋式結構柵極驅動電路低邊開關導通 2022-01-20

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