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大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon產(chǎn)品的11kW DC－DC轉(zhuǎn)換器方案

2022年1月6日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）SiC MOSFET和驅(qū)動器的11kW DC-DC轉(zhuǎn)換器方案。圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的11kW DC-DC轉(zhuǎn)換器方案的展示板圖隨著以電池供電的移動電子設(shè)備和分布式電源系統(tǒng)應(yīng)用的飛速發(fā)展，...
SiC MOSFET和驅(qū)動器11kW DC-DC轉(zhuǎn)換器方案 2022-01-06

【技術(shù)大咖測試筆記系列】之十：在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量

作者：泰克科技技術(shù)大咖在經(jīng)過多年研究和設(shè)計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實(shí)用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負(fù)偏置電壓時會關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動設(shè)計。寬帶隙(WBG)...
高壓IC擊穿電壓測量碳化硅(SiC)氮化鎵 (GaN)功率器件 2021-12-17

第四代半導(dǎo)體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或?qū)⒄旧螩位

一般來說，半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。迄今為止，半導(dǎo)體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導(dǎo)體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導(dǎo)體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導(dǎo)體等。過去一年里，我們看到隨著市場對半導(dǎo)體性能的要...
半導(dǎo)體材料氧化鎵SiC材料器件 2021-10-28

碳化硅時代來臨，各大供應(yīng)商怎么看

各種汽車芯片越來越多地采用碳化硅 (SiC) 技術(shù)，大多數(shù)芯片制造商現(xiàn)在認(rèn)為這是一個相對安全的賭注，爭先恐后地將這種寬帶隙技術(shù)推向主流。碳化硅在許多汽車應(yīng)用中有著廣闊的前景，尤其是電動汽車。與硅相比，它可以延長每次充電的行駛里程，減少電池充電時間，可以通過更低的電池容量和更輕的重量提供相...
SiC碳化硅 2021-10-09

面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng)，例如用于主逆變器電機(jī)，泵，HVAC壓縮機(jī)，制動和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。諸如碳化硅（SiC）之類的化合物半導(dǎo)體器件的最新發(fā)展使得能夠提高車輛中大多數(shù)系統(tǒng)的效率。SiC器件的某些特性，例如低導(dǎo)通和開關(guān)...
逆變器電機(jī)碳化硅（SiC）高壓離散電源 2021-09-29

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析

功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計快速開關(guān)的單極器件。因此，現(xiàn)在僅在低壓環(huán)境（<600 V）下才可能使用的解決方案現(xiàn)在也可以在更高的電壓下使用。結(jié)果是最高的效率，更高的開關(guān)頻率，更...
碳化硅（SiC）晶體管功率轉(zhuǎn)換器CoolSiC MOSFET技術(shù) 2021-09-18

雙向功率轉(zhuǎn)換器受益于 CoolSiC TM MOSFET

作者: 英飛凌科技高級應(yīng)用工程師David Meneses Herrera，高級產(chǎn)品定義工程師 Nico F摘要雙向功率轉(zhuǎn)換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關(guān)鍵部件。碳化硅開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)先前技術(shù)無法達(dá)到的效率水平。太陽能和風(fēng)能等可再生能源的存儲越來越重要，而電池則是一種實(shí)用的儲能解決方案。在電動汽車（EV）市場...
雙向功率轉(zhuǎn)換器電動汽車充電器碳化硅開關(guān)SiC MOSFET 2021-09-16

第三代半導(dǎo)體熱潮“帶貨”沉積設(shè)備需求，供應(yīng)鏈與服務(wù)本地化成關(guān)鍵考量

隨著中國“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對于“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)達(dá)成共識，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體新材料憑借高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異特性，成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明...
碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體新材料GaN功率器件 2021-09-01

快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等。前一個十年，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規(guī)劃的提出，中國將加速...
碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2021-07-27

確保測試準(zhǔn)確度，有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

SiC 正在被應(yīng)用到功率更高、電壓更高的設(shè)計中，比如電動汽車(EV) 的馬達(dá)驅(qū)動器、電動汽車快速充電樁、車載和非車載充電器、風(fēng)能和太陽能逆變器和工控電源。功率系統(tǒng)設(shè)計人員在轉(zhuǎn)向SiC 時，會面臨一些問題的挑戰(zhàn)：• 測試設(shè)備能否準(zhǔn)確地測量 SiC 系統(tǒng)的快速開關(guān)動態(tài)？• 怎樣才能準(zhǔn)確地優(yōu)化門...
電動汽車(EV)馬達(dá)驅(qū)動器SiC 技術(shù)功率模塊 2021-07-13

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