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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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[原創(chuàng)]Rohm SCT4026DRHR 5kW 800V三相輸出LLC諧振轉(zhuǎn)換器解決方案

Rohm公司的SCT4026DRHR是汽車(chē)級(jí)N溝SiC功率MOSFET,具有溝槽結(jié)構(gòu),750V和56A 4引腳THD通孔封裝.滿(mǎn)足資質(zhì)AEC-Q101.器件能處理高壓和大電流,滿(mǎn)足各種條件下優(yōu)化EMC噪音和電源效率.器件具有低開(kāi)態(tài)電阻,快速開(kāi)關(guān)速度和快速反向恢復(fù).容易并聯(lián)工作,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,無(wú)鉛和RoHS兼容封裝.主要用在汽車(chē)和開(kāi)關(guān)電源.本文介紹...
電源管理SiC MOSFET汽車(chē)電子RohmSCT4026DRHR 2022-06-10

[原創(chuàng)]TI UCC27614單路高速GaN/S iC低邊柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案

TI公司的UCC27614是單路高速GaN/S iC低邊柵極驅(qū)動(dòng)器器,能有效驅(qū)動(dòng)MOSFET, IGBT, SiC和GaN功率開(kāi)關(guān).其峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為10A,降低了功率開(kāi)關(guān)的上升和下降時(shí)間,降低開(kāi)關(guān)損耗和增加了效率.UCC27614器件通過(guò)改善死區(qū)時(shí)間優(yōu)化,脈寬效用,控制回路響應(yīng)和系統(tǒng)瞬態(tài)性能具有小傳輸時(shí)延,從而具有更好的功率級(jí)效率.如果...
電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器IGBTSiCGaNTIUCC27614 2021-12-02

三菱將推出第二代工業(yè)用全碳化硅功率模塊

總部位于東京的三菱電機(jī)將推出第二代全SiC（碳化硅）功率模塊，該模塊采用一種全新開(kāi)發(fā)的工業(yè)用SiC芯片。組件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高載操作有望促進(jìn)在各種工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)更高效、更小、重量更輕的功率設(shè)備。預(yù)計(jì)2021年1月開(kāi)始銷(xiāo)售。具體而言，與三菱第一代SiC產(chǎn)品相比，JFE...
SiC三菱 2020-09-17

UnitedSiC推出具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET

美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時(shí)具有業(yè)界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標(biāo)準(zhǔn)硅器件，使工程師可以采用比分立設(shè)計(jì)方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來(lái)構(gòu)建開(kāi)關(guān)電路。 ...
UnitedSiCSiC FET器件DFN 8x8表面貼裝封裝 2020-02-04

UnitedSiC在UF3C“FAST”FET產(chǎn)品系列中新增4引腳Kelvin器件

新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布進(jìn)一步擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，新增采用TO-247-4L4引腳Kelvin Sense分立封裝選項(xiàng)的1200V高性能SiC FET器件。新產(chǎn)品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型導(dǎo)通電阻（RDS（on）），使4引腳FAST系列器件的總數(shù)達(dá)到6個(gè)，并將整個(gè)系列的導(dǎo)通電阻范圍從...
UF3C FAST SiC系列UF3C120150K4SSiC FET器件 2019-06-21

Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二極管可提高應(yīng)用的效率、可靠性與熱管理

可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)電流、高浪涌承受能力以及175℃的最高運(yùn)行結(jié)溫Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩個(gè)第二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）肖特基二極管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二極管提供各種額定電流選擇（6A、8A、10A、16A或20A）。它們可為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)...
碳化硅（SiC）肖特基二...LSIC2SD065CxxA和LSIC... 2019-02-21

三菱電機(jī)株式會(huì)發(fā)售新壓注模封裝超小型DIPIPM產(chǎn)品

三菱電機(jī)株式會(huì)社今日宣布將在8月17日發(fā)售新壓注模封裝超小型DIPIPMTM產(chǎn)品，該產(chǎn)品搭載了三菱電機(jī)最新開(kāi)發(fā)的SiC※1 -MOSFET※2 ，適合于變頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，可以提高能效空調(diào)的全年能源消耗效率。 ※1　Silicon Carbide：碳化硅 ※2　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導(dǎo)體...
SiC－MOSFET三菱電機(jī)株式會(huì)新壓注模封裝超小型DI... 2016-08-30

不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件

用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件，由于對(duì)所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻(xiàn)巨大，其未來(lái)的技術(shù)發(fā)展動(dòng)向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。 ROHM針對(duì)這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流，致力將在使分立半導(dǎo)體、IC的開(kāi)發(fā)與制造過(guò)程中積累起來(lái)的技術(shù)得到進(jìn)一步發(fā)展的功率元器件產(chǎn)品的陣容壯大。其中，在實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的...
ROHM碳化硅半導(dǎo)體SiC－MOSFET溝槽結(jié)構(gòu) 2015-09-23

Cree推出半橋雙功率模塊CAS300M12BM2

日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 mΩ半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外...
Cree SiC功率模塊半橋雙功率模塊CAS300...太陽(yáng)能風(fēng)能逆變器感應(yīng)加熱設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2015-09-07

Infineon推出性能改進(jìn)的第三代碳化硅肖特基二極管

英飛凌在應(yīng)用電源電子大會(huì)暨展覽會(huì)（APEC）上推出第三代thinQ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開(kāi)關(guān)頻率和輕負(fù)載條件下提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類(lèi)最為齊...
infineonSiC碳化硅肖特基二極管 2009-02-20

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