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[原創]TI UCC14240-Q1高效3kVRMS隔離DC-DC模塊解決方案

TI公司的UCC14240-Q1是高隔離電壓DC/DC模塊,給IGBT或SiC柵極驅動器提供電源.高精度輸出電壓提供了更好的通路性能,有更高的系統效率而不會使功率器件柵極出現過應力.模塊集成了變壓器和DC/DC控制器,具有專用架構,以達到高效率和低發射.UCC14240-Q1以高效率提供1.5W(典型)隔離輸出功率,僅需要最少的外接元...
電源管理DC／DC轉換器IGBT／SiC柵極驅動器TIUCC14240－Q1 2021-11-11

[原創]TI TIDA-010210 6.6kW三相三級ANPC逆變器參考設計

TI公司的TIDA-010210 6.6kW三相三級ANPC逆變器/PFC上向功率級參考設計,提供實現三級三相碳化硅/氮化鎵(SiC/GaN)基于ANPC逆變器功率的設計模板.采用超快功率器件使得開關頻率高于100kHz成為可能,從而降低濾波器所用磁性元件尺寸和增加功率級功率密度.多級拓撲允許在高達1000V的更高DC總線電壓上使用600V...
電源管理SiC／GaN逆變器TITIDA－010210 2021-11-04

[原創]ST STGAP2SICSNSiC MOSFET 4A隔離柵極驅動器解決方案

ST公司的STGAP2SICSN是單路柵極驅動器,在柵極驅動通路和低壓控制以及接口電路間提供電流隔離.柵極驅動器具有4A驅動能里和軌到軌輸出,使得器件也適合用在中高功率應用如工業應用方面的電源轉換和馬達驅動器逆變器.器件提供兩個不同的配置.分立輸出引腳的配置通過采用專用的柵極電阻能單獨地優化開態和關...
電源管理SiC MOSFET柵極驅動器STSTGAP2SICSNSiC 2021-11-01

[原創]On Semi NCV51705/D三相車載充電器(OBC) PFC-LLC平臺方案

On Semi公司的NCV51705/D是單路6A高速低邊SiC MOSFET驅動器,為了獲得最低可能導通損耗,驅動器能向SiC MOSFET器件提供最大可用柵極電壓.通過在開通和關斷時提供高峰值電流,開關損耗也是最小化.為了提高可靠性, dV/dt免疫性和甚至更快地關斷, NCP51705能利用車載充電泵來產生用戶可選擇的負電源軌.為了完...
汽車電子車載充電器(OBC)SiC MOSFETOn SemiNCV51705／D 2021-09-15

[原創]On Semi NCP51561隔離5 kVRMS雙路4.5A柵極驅動方案

On Semi公司的NCP51561是隔離雙路柵極驅動器,分別具有4.5A.9A源和沉峰極電流,設計用于快速開關驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關.NCP51561提供短和匹配的傳輸延遲.從輸入到每個輸出的隔離電壓為5 kVrms,兩個輸出驅動器間的內部功能隔離允許工作電壓高達1500VDC.驅動器能用作兩個低邊,兩個高邊開關或有...
柵極驅動器SiC MOSFETOn SemiNCP51561 2021-08-16

[原創]Rohm BM2SCQ123T-LBZ準諧振AC-DC轉換器解決方案

Rohm公司的BM2SCQ123T-LBZ是準諧振AC/DC轉換器,為所有產品提供最佳的系統.準諧振操作賦能了軟開關,有助保持EMI低數值.器件包含了1700 V/4 A SiC(碳化硅)MOSFET,使得設計變得更容易.突發操作降低了輕負載時的輸入功率.器件還包含了各種保護功能如軟起動功能,突發操作,逐個周期的過流限制,過壓保護功能以...
電源管理AC／DC轉換器SiC－MOSFETRohmBM2SCQ123T 2021-07-08

[原創]TI UCC23511－Q1光兼容單路隔離IGBT柵極驅動器解決方案

TI公司的UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅動器,源電流1.5A,沉電流2A,增強隔離指標為5.7-kVRMS.33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅動IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅動高邊和低邊功率FET.引腳對引腳替代光隔離柵極驅動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延...
電源管理柵極驅動器IGBTSiC MOSFETTIUCC23511－Q1 2021-04-12

[原創]TI TIDA－01604 6．6kW HEV－EV充電器參考設計

TI公司的TIDA-01604是效率98.6% 6.6kW圖騰柱無橋功功率因素校正(PFC)參考設計.功率級有C2000™微控制器(MCU)和SiC隔離的柵極驅動器所驅動的碳化硅(SiC) MOSFET.參考設計實施是三相交錯的,工作在連續導通模式(CCM),在240V輸入電壓和6.6kW滿功率時效率達到98.6%,C2000控制器賦能切相和自適應死區控制...
電源管理PFCHEV／EVSiC MOSFETTITIDA－01604 2020-09-30

[原創] TI TIDA－020030SiC/IGBT絕緣柵驅動器參考設計

TI公司的TIDA-020030是采用UCC21710-Q1的SiC/IGBT絕緣柵驅動器參考設計.UCC21710-Q1是電流隔離單路柵極驅動器,設計用于高達1700V SiC MOSFET和IGBT,具有先進的保護特性,業界最好的動態性能和魯棒性.它具有高達±10-A峰值源和沉電流.器件滿足汽車應用的AEC-Q100規范.SiC MOSFET和IGBT高達2121Vpk,最大輸出...
電源管理SiCIGBT柵驅動器TIDA－020030 2020-06-04

[原創] TI TIDA－010025200－480 VAC驅動的三相逆變器參考設計

TI公司的TIDA-010025是三相逆變器參考設計,具有200-480 VAC驅動器和光仿真輸入柵極驅動器.它是基于光兼容單路隔離柵極驅動器UCC23513,用來驅動IGBT, MOSFET和SiC FET,具有4.5A源和5.3A沉峰值輸出電流以及5.7-KVRMS加強隔離指標.高電源電壓33V可使用雙極電壓有效地驅動IGBT和SiC功率FET.而參考設計TIDA-...
馬達控制逆變器柵極驅動器IGBTMOSFETSiC FET 2019-10-12

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