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↓在全部中搜索到 1694 條關于“Vishay”的信息，用時:0.031 sec.

Vishay推出業界首款采用非接觸技術的多匝傳感器34THE

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用非接觸技術的多匝傳感器 --- 34 THE。10匝34 THE霍爾效應傳感器可采用伺服或套管安裝，為在惡劣環境中需要長壽命傳感器的應用進行了優化。新款34 THE采用霍爾效應技術，使其能在高達20G的高頻振動和50G的沖擊條件下...
34THEVishay非接觸技術的多匝傳感... 2010-12-15

Vishay推出業界首款高集成度的接近和環境光光學傳感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出完全集成的接近和環境光光學傳感器--- VCNL4000，在業內首次將一個紅外發射器、光電二極管、環境光探測器、信號處理IC和一個16位ADC組合到小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無引線(LLP)表面貼裝封裝內。節省空間的VCNL4000支持易用...
VCNL4000Vishay環境光光學傳感器 2010-12-14

Vishay Siliconix推出新款模擬開關DG723

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于切換模擬和數字信號的單片雙路單拉單擲模擬開關 --- DG723。新器件具有提高信號完整性和系統精度所需的低開關噪聲性能，具有緊湊的表面貼裝封裝和低功耗的特點，并且能夠使用新一代便攜式設計中的低電壓。 DG723的工作電壓為...
DG723Vishay模擬開關 2010-12-10

Vishay推出專用于無線Modem的新款脈沖電容器

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列的固鉭貼片電容器 --- 592W。穩定耐用的592W電容器專門針對無線調制解調器中的脈沖工作模式而設計，在6.3V～10V電壓范圍內，具有330μF～2200μF的高容值，3種外形尺寸的高度為1.6mm和2.0mm。今天發布的電容器在各種溫度、脈沖重...
Vishay無線Modem脈沖電容器 2010-12-08

Vishay推出具有極強抗干擾能力的新款紅外接收器

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司的光電子產品組合新增用于遙控系統的完整系列微型自動增益控制分類5(AGC5)的紅外接收器 --- AGC5。Vishay的AGC5器件適用于短脈沖編碼，具有出色的噪聲抑制能力，在噪聲條件下能夠實現最佳的接收距離。暗淡的LCD背光、等離子屏的噪聲...
Vishay抗干擾紅外接收器 2010-12-01

Vishay公司新視頻閃亮登場

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，介紹企業技術能力、客戶服務和業界最寬產品組合之一的新視頻亮相。該視頻重點介紹了Vishay的設計和制造資源、可靠運送高質量元件的能力、廣泛的應用支持，以及遍布全球的供應鏈。該視頻展示了Vishay可為定制方案、用于商用產品及要求高...
Vishay 2010-11-19

Vishay推出兩款電阻 WSLP3921和WSLP5931

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP3921和WSLP5931，電阻具有5W～10W的高功率等級和低至0.0003Ω的極低阻值。 WSLP3921和WSLP5931電阻具有先進的結構，采用具有低TCR(<20PPM/℃)的固態...
Vishay 2010-11-17

VISHAY推出新款采用6767外形尺寸的高電流電感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP®小外形、高電流電感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，還具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的寬范圍標準感值。新款IHLP-6767DZ-11的頻率范圍高達750kHz，可應用于終端產品中電...
Vishay高電流電感器 2010-11-17

Vishay Siliconix推出業內導通電阻最低的MOSFET器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有更高的最大電流并提高效率。SiZ710DT在一個小尺寸封裝中整合了...
MOSFET器件 Vishay Si... 2010-11-16

Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM)，SiHG47N6...
N溝道功率MOSFETSiHG47N60SVishay 2010-11-09

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