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瑞薩移動促進(jìn)LTE Cat-4認(rèn)證

2012年2月27日，西班牙，巴塞羅那，世界移動大會訊 — 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）的子公司——高級無線通信半導(dǎo)體解決方案與平臺供應(yīng)商瑞薩移動公司（Renesas Mobile Corporation）將向您展示：借助其“smarter by design”架構(gòu)，使其...
2012-05-03

--BBS主題帖: 瑞薩科技完成新一代微控制器CPU內(nèi)核的設(shè)計(jì)

瑞薩科技公司（Renesas）宣布，該公司已完成了一個(gè)創(chuàng)新的新型CISC（復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)）CPU架構(gòu)設(shè)計(jì)，它將賦予瑞薩未來一代CISC微控制器（MCU）在代碼效率、處理性能和功耗方面無與倫比的能力。采用了新型架構(gòu)的產(chǎn)品將以“RX”系列命名。
2007-11-19

--BBS主題帖: 瑞薩發(fā)布3個(gè)家族11款新型號R8C/Tiny系列16位微控制器

Renesas出高性能，低引腳數(shù)、16位微控制器（MCU）R8C/Tiny系列產(chǎn)品，這11款新型號產(chǎn)品（22個(gè)型號名）均帶有片上閃存，可提供1.8 V低電壓操作和改進(jìn)易用性的增強(qiáng)型閃存功能。新的R8C/Tiny系列型號包括三個(gè)家族：52引腳封裝型號的R8C/35A家族、32引腳封裝型號R8C/33A家族和20引腳封裝型號R8C/32A家族。樣...
2007-11-01

--BBS主題帖: 瑞薩發(fā)布小尺寸封裝鋰離子電池充電控制ICR2A20051NS

Renesas推出R2A20051NS鋰離子電池充電控制IC，它適用于數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品的內(nèi)置充電電路。樣品將于2007年10月3日開始在日本交付。 R2A20051NS采用了業(yè)界最小的2.7 mm×2.5 mm封裝尺寸，同時(shí)集成了一個(gè)充電FET開關(guān)，只要增加一個(gè)作為外圍器件的電阻器就可以實(shí)現(xiàn)充電電路。此外，若干各種片上保護(hù)功能可...
2007-10-11

--BBS主題帖: 瑞薩推出最新多模通信RF收發(fā)IC濾波器電路技術(shù)

Renesas宣布已經(jīng)開發(fā)出最新濾波器電路技術(shù),可實(shí)現(xiàn)在支持多種無線系統(tǒng)的多模通信RF收發(fā)IC上,集成小電路面積及低功耗的離散時(shí)間濾波器這一技術(shù)是一種有助于減少離散時(shí)間濾波器使用電容器數(shù)量的電路技術(shù)，與當(dāng)前的技術(shù)相比可省去大約一半的電容器。采用這些技術(shù)的130 nm（納米）CMOS工藝的試驗(yàn)制造表...
2007-10-08

--BBS主題帖: 瑞薩擴(kuò)充增強(qiáng)型H8SX系列32位CISC微控制器陣容

Renesas推出H8SX系列32位CISC（復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)）微控制器新產(chǎn)品，增加的陣容包括H8SX/1658R、H8SX/1668R、H8SX/1558和H8SX/1568總共12個(gè)型號。H8SX/1658R和H8SX/1668R型號的樣品交付將從2007年9月在日本開始，H8SX/1558和H8SX/1568型號將從2007年11月開始。
2007-08-17

--BBS主題帖: 瑞薩發(fā)布“WMA Pro LBR解碼中間件”SH-Mobile軟件

瑞薩（Renesas）推出WMA Pro LBR解碼中間件。該軟件支持由微軟公司開發(fā)的M0規(guī)格的Windows Media Audio（WMA）10 Professional3音頻壓縮技術(shù)，計(jì)劃用于采用SH-Mobile的應(yīng)用處理器的應(yīng)用軟件開發(fā)。新的WMA Pro LBR解碼中間件將于2007年8月在日本提供。
2007-06-28

--BBS主題帖: 瑞薩開發(fā)出實(shí)現(xiàn)32納米工藝片上SOI SRAM的前瞻技術(shù)

瑞薩科技（Renesas ）宣布，開發(fā)出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC（系統(tǒng)級芯片）中的片上SRAM。
2007-06-27

--BBS主題帖: 瑞薩科技利用新工藝制造技術(shù)改進(jìn)晶體管性能

瑞薩科技（Renesas）宣布開發(fā)出一種具有45 nm（納米）及以上工藝的微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶體管技術(shù)。新技術(shù)利用瑞薩開發(fā)的專有混合結(jié)構(gòu)——公司在2006年12月以前發(fā)布的一種先進(jìn)技術(shù)——改善了CMIS晶體管的性能。
2007-06-26

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