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↓在全部中搜索到 750 條關于“GaAs”的信息，用時:0.031 sec.

SE5102/3：CDMA手機功放模快

5月6日訊，SiGe半導體公司推出一對工作在824-849MHz頻段的IS-95和CDMA200 1x手機的功率放大器SE5102和SE5103。采用SiGe BiCMOS工藝制造，SE5102和SE5103功率放大器模塊由于提升線性和功率輸出性能到GaAs產品的水平，降低了正常的靜態電流，因而延長了電池的壽命。SE5102是單波段兩級功放，而SE5103則把...
手機 2003-05-09

QEN00033:微型表面安裝紅外發送開關

3月24日訊，Fairchild半導體公司推出一種新型光電晶體管紅外發送開關QVE00033，它有微型紅外邊縫。QVE00033發送開關體積小，表面安裝封裝，其性能使它很適合用在盤驅動器，卡檢測器，鼠標和跟蹤球，馬達和運動控制器中的非接觸性開關。此外，光學非接觸性開關技術，使得QVE00033和接觸性開關相比，更加...
其它 2003-04-08

ABA-51563/2563/3563:低成本硅寬帶RFIC

2月25日訊，Agilent公司推出低成本5V硅寬帶射頻集成電路(RFIC)放大器系列ABA-51563，ABA-52563和ABA53563，適用于直接廣播衛星低噪音廣播(DBS LNB)，有線電視分配器和線纜調制解調器，GSM/CDMA無線電卡，微波鏈接，光纖通信系統和許多其它通信設備中的IF和緩沖級。帶寬從0.1GHz 到3.5GHz，這些RFIC放大...
寬帶 2003-03-05

新的GSM功率放大器模塊系列

2月13日訊，TriQuint半導體公司推出用于GSM移動手機市場的五種新型功率放大器模塊(PAM)。這種GSM PAM系列滿足一流的GSM收發器和系統結構的要求。每種PAM都有業界第一流的功能如高功率附加效率，12級GPRS功能，體積小能最大限度增加通話時間。所選用的模塊集成了功率控制和四頻帶功能，滿足對集成度，靈...
放大器 2003-02-19

ADL5551:有RF檢測的手機功率放大器

2月11日訊，ADI公司推出新型手機用RF功率放大器模塊ADL5551，它集成了一流的RF檢測和功率控制技術，使手機的性能得到改進，延長電池壽命，降低制造成本。ADL5551采用先進的GaAs HBT功率放大器工藝技術，采用閉環輸出功率測量的控制。這種創新的結構，和通常的開環電壓和電流傳感方案相比，能節省電池能...
放大器 2003-02-18

低噪音硅鍺晶體管使手機有GPS功能

2月3日訊，東芝公司推出業界最低噪音的高頻硅鍺(SiGe)RF晶體管，它的噪音和昂貴得多的GaAs 晶體管差不多。新型晶體管目標應用在無線局部網(WLAN)和全球定位系統(GPS)中的超高頻低噪音放大器(LNA)，GPS將會作為E-911特性部件安裝在手機中。東芝這種SiGe器件，噪音為0.52dB，采用價格上有競爭力的硅襯底實...
手機 2003-02-18

POLARIS :四頻帶多模式手機收發器

二月三日訊，RF微器件公司推出四頻帶POLARIS TOTAL RADIO收發器，具有直接變換功能。它有兩種接收選擇：RF2710接收器四頻帶工作，RF2716接收器除了四頻帶工作外還有支持E-GPRS接收功能的直接變換模式。 POLARIS TOTAL RADIO解決方案是高度集成的用于GSM和GPRS的無線電收發器。芯片組具有手機RF部分所...
手機 2003-02-12

BGY284：四頻帶GSM功率放大器

2月11日訊，Philips公司推出業界最小的四頻帶GSM手機用功率放大器(PA)模塊BGY284，它是高度成本效率的，占位面積僅有8x8mm，安裝高度1.5mm，有全集成的功率控制回路。BGY284組合了InGaP GaAs，硅BiCMOS(Philips QUBiC4)和無源集成(Philips PASSITM)技術,能最大限度地提高電路性能。高度集成的功率放大器...
放大器 2003-02-12

PS2845-4A:最小尺寸四通道光耦合器

1月13日訊，加州東部實驗室(California Eastern Laboratories)推出四通道光耦合器PS2845-4A和PS2841-4A/4B，它是5.2x7.0x2.0mm封裝，30密爾引腳間距，是目前體積最小的，大約為同類產品的一半。有直流輸入(PS2841-4A/4B)和交流輸入(PS2845-4A)兩種型號。器件有GaAs LED和NPN硅光電三極管組成的四個光耦...
光耦 2003-01-16

ATF-511P8:大功率6GHz E-PHEMT FET

12月16日訊，Agilent公司推出業界最高輸出功率，動態范圍和效率(PAE)的增強型假高電子遷移率晶體管(E-pHEMT)場效應晶體管(FET)ATF-511P8，它是無引線的微型塑料芯片承載封裝，用在高達6GHz的無線應用。在2GHz，單電源4.5V工作的ATF-511P8 E-pHEMT FET在1dB增益壓縮時的輸出功率為30dBm，41.7dBm三階輸出...
FET 2002-12-20

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