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↓在全部中搜索到 181 條關于“CGD”的信息，用時:0.039 sec.

--BBS主題帖: 開關電源原理及各功能電路詳解

導讀: 開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護電路、輸出過欠壓保護電路、輸出過流保護電路、輸出短路保護電路等。　　一、開關電源的電路組成　　開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波...
2013-07-17

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2013-04-30

--BBS主題帖: 討論在PFC中應用的新型超級結MOSFET器件的特點

關鍵詞： [url=http://www.eefocus.com/article/tag/PFC][color=#0000ff]PFC[/color][/url] , [url=http://www.eefocus.com/article/tag/%E8%B6%85%E7%BA%A7%E7%BB%93MOSFET][color=#0000ff]超級結MOSFET[/color][/url] , [url=http://www.eefocus.com/article/tag/SuperFET%20II%20MOSFET][color=#0...
2013-03-25

--BBS主題帖: MOSFET選擇策略詳解

在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結型晶體管（BJT）是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數載流子器件，因而是高頻應用的理想選擇。將直流電轉換為交流電的逆變...
2012-10-09

--BBS主題帖: LED驅動芯片調試分析

[font=宋體, Georgia, verdana, serif][b]1、芯片發熱[/b][/font] [font=宋體, Georgia, verdana, serif]　　這主要針對內置電源調制器的[b]高壓驅動[/b]芯片.假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱.驅動芯片的最大電流來自于驅動功率mos管的消耗,簡...
2012-09-24

--BBS主題帖: 場效應管(mosfet)參數符號意義

Cds---漏-源電容　　Cdu---漏-襯底電容　　Cgd---柵-源電容　　Cgs---漏-源電容　　Ciss---柵短路共源輸入電容　　Coss---柵短路共源輸出電容　　Crss---柵短路共源反向傳輸電容　　D---占空比(占空系數，外電路參數) 　　di/dt---電流上升率(外電路參數) 　　dv/dt---電壓上升率(外電路...
2012-09-11

--BBS主題帖: LED驅動設計需要注意的問題

1、功率管發熱功率管的功耗分成兩部分，開關損耗和導通損耗。頻率與導通損耗也成正比，所以功率管發熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點高。想辦法降低頻率吧!不過要注意，當頻率降低時，[b][url=http://www.gtkjdg.com/ProductClass-1-1.html][b]焊錫機器人[/b][/url][/b]為了得到相同的負載能力...
2012-09-04

--BBS主題帖: LED驅動設計5大技巧要領

1、芯片發熱這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率mos管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通...
2012-08-08

--BBS主題帖: fpga內部的延時單元

[color=#666666][font=Arial]在兩片FPGA做信號同步的時候，碰到了這個問題：想延時某個信號，但是不能用鎖存的辦法。因為時鐘是外部給的，頻率不定，而且起始相位有0和180度的模糊。很容易想到加一些組合邏輯延時。又怕給綜合器優化掉。因此，引發第一個問題，如何不讓綜合器優化我們的信號呢？參...
2012-04-26

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