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↓在全部中搜索到 160 條關于“CoolSiC”的信息，用時:0.026 sec.

英飛凌與 Schweizer 擴大在芯片嵌入式領域的合作，開發更高效的車用碳化硅解決方案

英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和 Schweizer Electronic（ETR 代碼：SCE）宣布攜手合作，通過創新進一步提升碳化硅（SiC）芯片的效率。雙方正在開發一款新的解決方案，旨在將英飛凌的 1200 V CoolSiC™ 芯片直接嵌入 PCB&nbs...
英飛凌Schweizer芯片嵌入式 2023-05-10

英飛凌在PCIM Europe 2023以創新的半導體解決方案推動低碳化和數字化，助力實現更綠色的未來

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）提供CoolSiC™以及CoolGaN™等電源解決方案，可提升能源效率。這使其成為可持續設計的關鍵和能源轉型的重要基石。在PCIM Europe 2023上，英飛凌將展示其功率半導體和寬禁帶技術方面的最新解決方案如何為當前的綠色和數字轉型挑戰提供方...
英飛凌PCIM Europe 2023低碳化數字化寬禁帶技術 2023-04-26

英飛凌與 Infinitum 攜手推動低碳化進程，在APEC 2023上展示Infinitum具有突破性和可持續性的空心電機

英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）在 APEC 2023 (美國應用能源電子展)上宣布將與Infinitum 攜手合作。這是一家創造了可持續、突破性空心電機的制造商。在此次技術合作中，英飛凌將提供碳化硅（SiC）CoolSiC™ MOSFET 和其他關鍵的半導體元器件，助力 Infinitum的電機系統實...
英飛凌Infinitum空心電機 2023-03-28

英飛凌與Stellantis就SiC芯片長期供貨簽署諒解備忘錄

英飛凌科技股份公司與全球汽車制造商Stellantis簽署了一份非約束性諒解備忘錄，雙方即將開展為期多年的碳化硅（SiC）半導體供應合作。英飛凌將預留產能，并在2025年至2030年間向Stellantis的一級Tier 1供應商提供CoolSiC™裸片。此次協議潛在的采購量和產能儲備估值將遠超10億歐元。英飛凌科技...
英飛凌StellantisSiC芯片 2022-12-22

英飛凌擴展碳化硅晶圓供應陣營，與美國高意集團簽署供應協議

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團（納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應協議。這家總部位于德國的半導體制造商以此進一步拓寬碳化硅這一戰略性半導體材料的供應渠道，并滿足該領域強勁增長的客戶需求。該協議還將支持英飛凌的多源采購戰略并提...
碳化硅晶圓功率半導體 2022-09-19

英飛凌攜手PIONIERKRAFT，實現自產太陽能按需分配

為達成歐洲（歐盟）雄心勃勃的氣候目標， 2030 年之前必須大幅減排溫室氣體。為此，住有8000多萬住戶的約2800萬棟多戶住宅建筑必須配備光伏系統。盡管有歐盟的支持，但仍存在巨大的技術和監管障礙，尤其是小型多戶住宅建筑的可再生能源供電。通過與英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）合...
英飛凌PIONIERKRAFT太陽能 2021-10-13

英飛凌最新技術助力用于工業通用電機驅動的22千瓦參考設計

在電力電子和半導體市場，系統方法的發展勢頭越來越好。為了支持這一趨勢，英飛凌科技公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了一個經過預先測試的工業參考設計，大大縮短了客戶開發產品的上市時間。該參考設計是一個通用的電機驅動器，其額定功率為22千瓦，可直接在380至480伏的三相電網上運行。該設計可...
英飛凌工業通用電機驅動 2021-09-03

GTAT將為英飛凌供應碳化硅晶圓柱

美國GT Advanced Technologies（GTAT）簽署了一份合同（初始期限為五年），向英飛凌供應碳化硅（SiC）晶圓柱，該公司又增加了一個重要客戶，以確保其在該領域不斷增長的基礎材料需求。英飛凌以CoolSiC的名義，是業界最大的工業功率應用產品組合，并且正在迅速擴展其面向消費者和汽車產品的產品。 ...
GTAT英飛凌 2020-11-11

為碳化硅開辟新應用領域，英飛凌62mm CoolSi模塊問市

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V CoolSiC™ MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計，以及溝槽柵芯片技術，為碳化硅打開了250kW以上（硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊...
碳化硅英飛凌62mm CoolSi 2020-07-15

英飛凌擴展SiC產品組合推8款650V器件

目前，以GaN、SiC為代表的第三代半導體因具備優異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。SiC作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。根據IHS預測，...
SiC電源供應器第三代半導體材料 2020-04-28

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