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應(yīng)用開發(fā)

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中芯國際概述N+1節(jié)點投產(chǎn)計劃較14nm工藝更具成本優(yōu)勢

資料圖（來自：SMIC）去年，中芯國際表示將在四季度開啟基于 14nm FinFET 制程的量產(chǎn)芯片。同時，該公司也在努力開發(fā)下一代主要節(jié)點（N+1），宣稱具有可媲美 7nm 工藝的部分特性。與中芯國際自家的 14nm 制程相比，N+1 可在性能提升 20% 的同時降低 57% 的功耗、并將邏輯面積減少了 63% 。但實際上，...
中芯國際14nm FinFET 制程 2020-03-24

中芯國際14納米級芯片提前一年實現(xiàn)量產(chǎn) 為“中國芯”崛起貢獻浦東力量

新年伊始，位于浦東張江哈雷路上的中芯南方集成電路制造有限公司（中芯南方廠）內(nèi)，一顆顆芯片正“新鮮出爐”，“新”在于芯片生產(chǎn)線是國內(nèi)首條14納米生產(chǎn)線。該工廠也是目前中國大陸芯片制造領(lǐng)域的最強者中芯國際最先進的生產(chǎn)基地。記者了解到，在去年三季度，該工廠第一代14納米FinFET工藝已成功量產(chǎn)...
14納米FinFET工藝中國芯 2020-01-16

臺積公司授予新思科技四項“年度合作伙伴”獎項

重點：• 新思科技連續(xù)9年榮獲臺積公司接口IP核和工具支持“年度合作伙伴”獎項• 新思科技在接口IP核、聯(lián)合開發(fā)6奈米設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)以及聯(lián)合交付SoIC設(shè)計解決方案和云解決方案受到認(rèn)可新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布在最近舉行的臺積公司2019開放創(chuàng)新平臺（OIP）...
接口IP核FinFET技術(shù) 2019-10-31

格芯為何放棄7nm轉(zhuǎn)攻3D封裝

近日，全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工藝，成功流片了基于ARM架構(gòu)的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領(lǐng)域，將與英特爾、臺積電等公司一道競爭異構(gòu)計算時代的技術(shù)主動權(quán)。放棄7nm 格芯轉(zhuǎn)攻3D封裝據(jù)報道，格芯攜手ARM公司驗證了3D設(shè)計測試（DFT）方法，...
3D封裝12nm FinFET工藝 2019-08-23

三星：7nm EUV工藝明年1月量產(chǎn) 已完成5nm研發(fā)

隨著NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工，三星在晶圓代工市場上總算又拉來一個客戶，如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂單，再加上三星自己的7nm Exynos芯片，三星在7nm節(jié)點總算有所收獲了。與臺積電相比，三星在7nm及未來的5nm節(jié)點上確實還要落后，主要是時間進度上，臺積電的7nm去年都量...
7nm EUV工藝FinFET晶體管技術(shù) 2019-07-08

Achronix推出突破性的FPGA系列產(chǎn)品，以面向高帶寬數(shù)據(jù)加速應(yīng)用的靈活性而將性能提升到全新高度

全新Speedster7t系列產(chǎn)品專為機器學(xué)習(xí)市場和高帶寬網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用而進行了優(yōu)化創(chuàng)新架構(gòu)和ACE軟件工具為要求更高性能和更短設(shè)計周期的設(shè)計提供了全新范式Speedster7t器件采用臺積電（TSMC）的7nm FinFET工藝制造基于現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)...
7nm FinFET工藝制造FPGA系列人工智能 2019-05-23

新思科技的DesignWare IP獲得超過250個設(shè)計的選用

-新思科技用于臺積公司7奈米FinFET制程技術(shù)的DesignWare IP獲得超過250個設(shè)計的選用 (Design Wins)-經(jīng)驗證的介面、類比和基礎(chǔ) IP，協(xié)助客戶在各式應(yīng)用中實現(xiàn)矽晶設(shè)計成功重點摘要：應(yīng)用于臺積公司7奈米FinFET制程技術(shù)、通過矽晶驗證（silicon-proven）的 DesignWare PHY IP 包括 USB、DDR、LPDDR、HBM、...
7奈米FinFET制程技術(shù)系統(tǒng)晶片（SoCs） 2019-05-06

Exyte榮獲上海華力微電子“年度杰出供應(yīng)商”獎

高科技設(shè)施和廠房設(shè)計、工程和施工服務(wù)的全球先鋒 Exyte 于2019年3月19日榮獲上海華力微電子有限公司 (HLMC) 的“年度杰出供應(yīng)商”獎。 HLMC年度杰出供應(yīng)商獎頒獎儀式從左至右：唐均君（HLMC總裁）和Herbert Blaschitz（Exyte高科技設(shè)施總裁）該獎項是為了表彰 Exyte 在交付上海華力新300mm晶圓制...
“年度杰出供應(yīng)商”獎14nm FinFET 工藝技術(shù) 2019-04-02

芯禾科技電磁仿真軟件IRIS通過GLOBALFOUNDRIES 12LP工藝認(rèn)證

國內(nèi)EDA軟件、集成無源器件IPD和系統(tǒng)級封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，芯禾科技于近日宣布其三維全波電磁場（EM）仿真軟件IRIS已通過GLOBALFOUNDRIES格芯的12納米領(lǐng)先性能（12LP）工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證能確保設(shè)計人員可以放心地使用格芯12LP的FinFET半導(dǎo)體制造工藝文件進行IRIS仿真。格芯12LP技術(shù)相比14納米Fin...
格芯12LP技術(shù)FinFET半導(dǎo)體制造工藝...人工智能 2019-02-21

FinFET

鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin Field-Effect Transistor)被稱為FinFET，是一種新的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長可小于20nm，未來預(yù)期可以進一步縮小至9nm。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面結(jié)構(gòu)。在FinFET架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D結(jié)...
2014-01-16

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