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開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)

作者：Frederik Dostal，電源管理專家摘要在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問...
開關(guān)模式電源GaN開關(guān) 2025-03-19

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充電器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案的展示板圖如今，智能設(shè)備的高功率快充技術(shù)已成為消費(fèi)者普...
大聯(lián)大友尚集團(tuán)140W PD3．1 GaN充電器... 2025-03-19

納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

充電技術(shù)推動(dòng)小米投資納微（Navitas）半導(dǎo)體小米集團(tuán)和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會(huì)上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比以...
納微半導(dǎo)體GaNFast充電技術(shù)氮化鎵（GaN） 2020-02-17

GaN Systems和安森美共同發(fā)布半橋評(píng)估板

GaN Systems和安森美半導(dǎo)體宣布，采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速柵極驅(qū)動(dòng)器，共同組成了一套高速半橋GaN系統(tǒng)評(píng)估板。該套件采用25mm x 25mm的布局，減少了元件數(shù)量。其特性包括1+ MHz工作頻率和200 V / ns CMTI額定值?；贕aN的電源系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)包括功率損耗，重...
GaN Systems安森美半橋評(píng)估板 2019-11-19

2023年RF GaN市場(chǎng)增長至17億美元，Qorvo等受益

2023年RF GaN市場(chǎng)增長至17億美元，Qorvo、住友及Wolfspeed將受益。根據(jù)Strategy Analytics先進(jìn)半導(dǎo)體應(yīng)用（ASA）報(bào)告顯示，RF GaN市場(chǎng)2018年-2023年間年復(fù)合增長率將超過22%，2023年預(yù)計(jì)達(dá)到17億美元，推動(dòng)這一增長的動(dòng)力將是不斷部署4G和新興的5G基站，以及國防應(yīng)用?！盎臼荊aN收入的最大來源，”先...
QorvoRF GaN市場(chǎng) 2019-11-19

Navitas納微半導(dǎo)體在亞洲高級(jí)電力電子會(huì)議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

GaNFast功率IC將在2019CPSSC會(huì)議上推動(dòng)新一代移動(dòng)快充Navitas 納微半導(dǎo)體今天宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學(xué)會(huì)（CPSSC）上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動(dòng)的手機(jī)快速充電器。 “ CPSSC是亞洲電力電子領(lǐng)域的每年的焦點(diǎn)，有450余篇經(jīng)同行評(píng)審的技術(shù)論文以及來自行業(yè)和學(xué)術(shù)界的150...
NavitasGaNFast技術(shù)驅(qū)動(dòng)GaN（氮化鎵）功率器件手機(jī)快速充電器 2019-10-23

Vicor如何用標(biāo)準(zhǔn)硅FET甩了GaN和SiC幾條街的？

目前，越來越多的應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)電源系統(tǒng)的功率密度及轉(zhuǎn)換效率提出了更高的要求，在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，不僅功率密度是眾多要素之一，其他比如電源系統(tǒng)架構(gòu)、多種開關(guān)拓?fù)?、電源模塊和基于分立器件設(shè)計(jì)的封裝技術(shù)，每一項(xiàng)都發(fā)揮重要的作用。此外，效率也是其中的一個(gè)要素，如配電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 設(shè)計(jì)、達(dá)到負(fù)載點(diǎn)電...
GaNSiCVicor 2019-08-26

除了SOI，Soitec還有GaN與遠(yuǎn)方

作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，Soitec于約兩月前以3000萬歐元的價(jià)格收購了氮化鎵（以下簡稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品系列中增加了GaN技術(shù)，也將借助GaN在5G中的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步擴(kuò)大功率放大器市場(chǎng)。 Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)...
Soitec功率放大器市場(chǎng)GaN技術(shù)5G 2019-07-16

Soitec收購EpiGaN nv，優(yōu)化襯底產(chǎn)品整合氮化鎵(GaN)優(yōu)勢(shì)

法國Soitec半導(dǎo)體公司日前宣布，已與歐洲領(lǐng)先的氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。同時(shí)，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計(jì)劃支付額外的獎(jiǎng)金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF(射頻)、5G、電子元器件和傳感器應(yīng)用。預(yù)計(jì)未來五年內(nèi)，GaN技術(shù)的市場(chǎng)應(yīng)...
GaN技術(shù)氮化鎵(GaN)傳感器應(yīng)用 2019-05-20

MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)

通過擴(kuò)大晶圓供應(yīng)，實(shí)現(xiàn)硅基GaN的成本優(yōu)勢(shì)、規(guī)模經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)化，滿足全球5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的需求利用寬帶隙的效率和增益，滿足5G天線頻譜和能效要求MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM)）(以下簡稱“ST”)于25日宣布...
5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)硅基GaN產(chǎn)能射頻RF功率 2019-03-01

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