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應(yīng)用開發(fā)

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開關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來驅(qū)動(dòng)功率MOS管

　　作為一名電源研發(fā)工程師，自然經(jīng)常與各種芯片打交道，可能有的工程師對(duì)芯片的內(nèi)部并不是很了解，不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面，按照推薦設(shè)計(jì)搭建外圍完事。如此一來即使應(yīng)用沒有問題，卻也忽略了更多的技術(shù)細(xì)節(jié)，對(duì)于自身的技術(shù)成長并沒有積累到更好的經(jīng)驗(yàn)。今天以一顆DC/...
開關(guān)電源PWM驅(qū)動(dòng)功率MOS管 2020-07-09

MOS管如何拆裝？

　　槍溫度調(diào)試，把風(fēng)槍調(diào)到 320 度，風(fēng)速 1 檔，MOS 管屬于小型玻璃管，容易夾裂，所以在拆的時(shí)候一定要小心，撬的時(shí)候用力一定輕，要顧及周圍的元器件不能碰到，如果有帶膠的芯片需要避開，吹的過程中風(fēng)槍不能停留太久。　　二、撬 MOS 管的時(shí)候要用鋒利一點(diǎn)的刀片，把刀片放在 MOS 管...
mos管元器件斜口刀 2020-06-12

大小功率MOS管的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

　　MOS管相比于三極管，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計(jì)，哪怕是小功率MOS管，也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復(fù)雜。這幾年來一直做高頻電源設(shè)計(jì)，也涉及嵌入式開發(fā)，對(duì)大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)...
mos管電源設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器 2020-06-05

MOS管開關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)

　　一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電...
mos管導(dǎo)通DS柵極 2020-05-15

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕...
IGBT管JFETmos管 2020-05-11

10分鐘詳細(xì)圖解MOS管的結(jié)構(gòu)原理

　　MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)...
mos管N溝道電流 2020-04-10

MOS管和IGBT管的前世今生，該如何選擇？

　　在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？　　下面我們就來了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！　　什么是 MOS 管？　　場(chǎng)效應(yīng)管主要...
IGBTmos管開關(guān)元件 2020-04-01

MOS損壞的主要原因及解決方案

MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。MOS 主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 MOS 承受...
MOS損壞控制器靜電 2020-03-10

圖文并茂講解MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電...
mos管有結(jié)電容MOSFET 2020-01-13

MOS管損壞之謎

第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模...
mos管電涌電壓DSS 2019-12-27

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