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↓在全部中搜索到 7629 條關于“SRAM”的信息，用時:0.044 sec.

--BBS主題帖: 低功耗6管SRAM單元設計方案（2）

(1)空閑模式　　在空閑模式下，即讀操作和寫操作都不工作的情況下，當O存在Q點時，M3打開，Qbar保持在VDD，同時M2，M4是關閉的，此時Q點的數據0可能受到漏電流IDS-M2漏電堆積，從而在Q點產生一定電壓，甚至可能導致Q點數據翻轉，產生錯誤邏輯。因此要利用M1管的漏電流，主要是M1的亞閾值電流，為了這個...
2015-06-30

--BBS主題帖: 低功耗6管SRAM單元設計方案

引言　　在傳統6T-SRAM結構里，數據存儲節點通過存取管直接連接到位線上。這樣在讀過程中，由于存取管和下拉管之間的分壓作用會使存儲節點數據受到干擾，另外由于這種直接讀/寫機制會使存儲節點很容易受到外部噪聲的影響從而可能導致邏輯錯誤。　　除了數據的穩定性問題之外，不斷增大的芯片漏電流...
2015-06-30

--BBS主題帖: STM32 MDK3.8在SRAM中調試

剛剛入手一塊正點原子的戰艦開發板，心痛flash，就上網查查資料然后弄了一個sram中調試程序的工程。下面講述一下步驟，首先新建工程目錄，然后建立幾個文件夾，然后將.c,.s,.h文件考入相應的文件（我這里使用了正點原子的LED工程，很簡單的），然后在文件夾下新建工程，然后添加各種文件，就行了，[c...
2015-06-30

--BBS主題帖: 外部SRAM解決FPGA的存儲

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2015-06-30

--BBS主題帖: SDRAM SRAM 工作原理（3）

那么為什么好減少地址引腳呢？這樣做有什么好處呢？前面我們曾經介紹過，存儲1bit的數據SRAM需要4-6個晶體管但是DRAM僅僅需要1個晶體管，那么這樣同樣容量的SRAM的體積比DRAM大至少4倍。這樣就意味著你沒有足夠空間安放同樣數量的引腳（因為針腳并沒有因此減少4倍）。當然為了安裝同樣數量的針腳，也可...
2015-06-30

--BBS主題帖: SDRAM SRAM 工作原理（2）

三. RAM芯片和 SRAM芯片 RAM芯片：前面的介紹都相對比較簡單、抽象。下面我們會結合實際的RAM芯片進行介紹。在談到這個問題的時候，我們會涉及到一個比較重要的技術：封裝。你應該聽說過諸如30線SIMMS、72線SIMMS和168線DIMMS或者RIMMs其中的一個或者幾個術語吧。如果要解釋這些術語之間的不同，就應該...
2015-06-30

--BBS主題帖: SDRAM SRAM 工作原理

一.[b]存儲原理：[/b]RAM主要的作用就是存儲代碼和數據供CPU在需要的時候調用。像是圖書館中用有格子的書架存放書籍，不但要放進去還要能夠在需要的時候準確的調用出來。如果有一個書架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的編號），有100本書要存放在里面，那么我們使用一個行的編號＋...
2015-06-30

--BBS主題帖: 讀SRAM時序約束分析（2）

[b]　建立時間：[/b]　　Data Arrival Time = Launch Edge + Clock Network Delay + Input Maximum Delay of Pin + Pin-to-Register Delay = 0+3.681ns+17.765ns+ Pin-to-Register Delay = 21.446ns + Pin-to-Register Delay 　　Data Required Time = Latch Edge + Clock Network Delay to Destinati...
2015-06-30

--BBS主題帖: 讀SRAM時序約束分析

SRAM使用的是ISSI的61LV5128，8位寬，19條地址線。FPGA內部有一個地址產生計數單元，因此數據讀操作時輸出管腳的時序起點就是這些地址產生單元。因為希望快速讀SRAM，所以狀態機代碼讀SRAM是第一個時鐘周期送地址（SRAM的OE#信號始終接地），第二個時鐘周期讀數據。系統時鐘使用的是50MHz（20ns），SRA...
2015-06-30

--BBS主題帖: 使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計

作者：Cyrus Afghahi 基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣，基本交織耦合鎖存器和有源負載單元組成了6T存儲單元...
2015-05-31

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