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↓在全部中搜索到 750 條關于“GaAs”的信息，用時:0.029 sec.

III-V族化合物

所謂III-V族化合物半導體，是指元素周期表中的III族與V族元素相結合生成的化合物半導體，主要包括鎵化砷（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵等。此類材料具有閃鋅礦結構(Zincblende)結構。鍵結方式以共價鍵為主。由于五價原子比三價原子具有更高的陰電性，因此有少許離子鍵成份。正因為如此，III-V族材料置...
2010-11-29

霍爾傳感器

霍爾傳感器是一種能實現磁電轉換的傳感器，用它們可以檢測磁場及其變化。霍爾傳感器具有許多優點，它們的結構牢固，體積小，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高，耐震動，不怕灰塵、油污及鹽霧等的污染或腐蝕。霍爾開關器件具有無觸點、輸出波形清晰、無抖動、位置重復精度高等優點。霍爾傳感器以霍爾效...
2010-11-29

微波集成電路(MMIC)

單片微波集成電路（MMIC），有時也稱射頻集成電路(RFIC)，它是隨著半導體制造技術的發展，特別是離子摻入控制水平的提高和晶體管自我排列工藝的成熟而出現的一類高頻放大器件。在這類器件中，作為反饋和直流偏置元件的各個電阻器都采用具有高頻特性的薄膜電阻，并且與各有源器件一起封裝在一個芯片上，...
2010-11-29

微波電調衰減器

衰減器是把大電壓信號衰減到一定的比例倍數（一般指功率衰減），達到安全或理想的電平值，方便測試工作，尤其在射頻和微波中運用廣泛。它的衰減指標，有多方面的要求，主要有以下幾方面：衰減精度、承受功率、特性阻抗、可靠性、重復性等。微波電調衰減器作為一種控制器已被廣泛應用于雷達、電子對抗、...
2010-11-29

隧道二極管/體效應二極管

用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。隧道二極管，又稱為江崎二極管，它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。隧道二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（...
2010-11-29

激光二極管

激光（LASER）是上實際60年代發明的一種光源。LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。激光器有很多種，尺寸大至幾個足球場，小至一粒稻谷或鹽粒。氣體激光器有氦－氖激光器和氬激光器；固體激光器有紅寶石激光器；半導體激光器有激光二極管，像CD機、DVD機和CD-ROM里的那些。每一種激光器都有自...
2010-11-29

薄膜電路技術及其在T/R組件中的應用

作者：劉剛來源：中國電子科技集團公司第十四研究所　　1.引言　　采用薄膜技術來制造薄膜電路是薄膜領域中一個重要分支。薄膜電路主要特點：制造精度比較高(薄膜線寬和線間距較小)，可實現小孔金屬化，可集成電阻、電容、電感、空氣橋等無源元件，并且根據需要，薄膜電路可以方...
2009-09-21

--BBS主題帖: 低噪音硅鍺晶體管使手機有GPS功能

2月3日訊，東芝公司推出業界最低噪音的高頻硅鍺(SiGe)RF晶體管，它的噪音和昂貴得多的GaAs 晶體管差不多。新型晶體管目標應用在無線局部網(WLAN)和全球定位系統(GPS)中的超高頻低噪音放大器(LNA)，GPS將會作為E-911特性部件安裝在手機中
2003-02-18

--BBS主題帖: BGY284：四頻帶GSM功率放大器

2月11日訊，Philips公司推出業界最小的四頻帶GSM手機用功率放大器(PA)模塊BGY284，它是高度成本效率的，占位面積僅有8x8mm，安裝高度1.5mm，有全集成的功率控制回路。BGY284組合了InGaP GaAs，硅BiCMOS(Philips QUBiC4)和無源集成(Philips PASSITM)技術,能最大限度地提高電路性能。高度集成的功率放大器...
2003-02-12

--BBS主題帖: PS2845-4A：最小尺寸四通道光耦合器

1月13日訊，加州東部實驗室(California Eastern Laboratories)推出四通道光耦合器PS2845-4A和PS2841-4A/4B，它是5.2x7.0x2.0mm封裝，30密爾引腳間距，是目前體積最小的，大約為同類產品的一半。有直流輸入(PS2841-4A/4B)和交流輸入(PS2845-4A)兩種型號。器件有GaAs LED和NPN硅光電三極管組成的四個光耦...
2003-01-16

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