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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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Vishay推出可靠性極高的高性能PNM系列精密無(wú)磁薄膜電阻

Vishay 推出新款PNM系列精密無(wú)磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)，這些器件具有低至±25ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR，經(jīng)過(guò)激光微調(diào)后的容差只有±0.1%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下經(jīng)過(guò)1萬(wàn)小時(shí)后，性能特性依然保持在500ppm，并且針對(duì)高精度的醫(yī)療成像和測(cè)量、遙感和高端音頻設(shè)備進(jìn)行...
Vishay可靠性精密無(wú)磁薄膜電阻高性能PNM系列 2009-08-14

Vishay 推出單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品 Si4628DY

Vishay 推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓...
Vishay單片MOSFET肖特基SkyFET產(chǎn)品Si4628DY 2009-08-14

Vishay推出帶有驅(qū)動(dòng)電路和視頻接口的新型LED顯示屏

v:* {behavior:url(#default#VML);} o:* {behavior:url(#default#VML);} w:* {behavior:url(#default#VML);} .shape {behavior:url(#default#VML);} /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colba...
LED顯示屏Vishay視頻接口驅(qū)動(dòng)電路 2009-08-11

Vishay推出穩(wěn)定性極高的PLT系列TCR薄膜電阻

Vishay 推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。新電阻采用性能穩(wěn)定的薄膜 --- 在+70℃下經(jīng)過(guò)1萬(wàn)小時(shí)后，性能特性依然保持在500ppm，并且針對(duì)對(duì)工業(yè)、遠(yuǎn)程通信、醫(yī)療成像、測(cè)試測(cè)量，以及軍工和航天設(shè)備及儀器中的高精度應(yīng)用...
PLT系列TCR薄膜電阻Vishay 2009-08-11

Vishay推出新系列小尺寸、表面貼裝1A整流器MUH1Px

Vishay推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時(shí)間可滿足高頻應(yīng)用的要求。設(shè)計(jì)者可根據(jù)所需，從100V(MUH1PB)、150V(MUH1PC)和200V(MUH1PD)中選擇合適的反向電壓等級(jí)。其中，MUH1PD是業(yè)界首款采用超小型封裝的1A、200V超快整流器。 ...
MUH1PxVishay小尺寸表面貼裝1A整流器 2009-08-07

Vishay推出TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式光電傳感器

Vishay推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場(chǎng)。今天推出的傳感器是業(yè)內(nèi)首款達(dá)到+145℃的結(jié)溫等級(jí)、-40℃～+125℃的工作溫度范圍和潮濕敏感度等級(jí)1(MSL1)的器件。 TCPT1300X01和TCUT1300X01的寬溫范圍使其能夠勝任低溫和高溫環(huán)境。傳感器的...
TCPT1300X01TCUT1300X01Vishay表面貼裝透射式光電傳感器 2009-08-06

Vishay推出新款小尺寸整流器MSE1Px具有高達(dá)25kV的ESD

Vishay 推出ESD保護(hù)高達(dá)25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。新的MSE1Px器件采用eSMP系列MicroSMP封裝，占位尺寸只有2.5mmx1.3mm，厚度僅有0.65mm。除ESD保護(hù)功能以外，新器件的最大結(jié)溫高達(dá)175℃，MSL潮濕敏感度等級(jí)為1。新器件的目標(biāo)應(yīng)用是汽車和工業(yè)控制、傳感器單元，以及照明系...
ESDMSE1PxVishay小尺寸整流器 2009-08-06

Vishay推出具有低導(dǎo)通電阻的N溝道MOSFET器件SiR494DP

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵...
N溝道MOSFET器件SiR494DPVishay低導(dǎo)通電阻 2009-07-30

Vishay發(fā)布輸入電壓達(dá)28V的microBuck集成同步降壓穩(wěn)壓器

Vishay，推出兩款新的microBuck系列集成同步降壓穩(wěn)壓器 --- SiC413、SiC417。輸出電流分別達(dá)4A和10A的SiC413和SiC417是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有具有自帶柵極驅(qū)動(dòng)器的先進(jìn)控制器IC、兩個(gè)對(duì)PWM優(yōu)化的N溝道MOSFET（高壓側(cè)和低壓側(cè)），以及在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自舉二極管。 microBuck系列產(chǎn)品融合...
microBuckSiC413SiC417Vishay集成同步降壓穩(wěn)壓器 2009-07-28

Vishay推出在PowerPAK MLF6x6封裝內(nèi)集成DrMOS解決方案的器件SiC769

Vishay推出一款在一個(gè)PowerPAK® MLF6x6封裝內(nèi)集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時(shí)提供了高壓側(cè)和低壓側(cè)的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC。SiC769分別提供針對(duì)3.3V和5V控制器的兩個(gè)型號(hào)，完全符合服務(wù)器和桌面計(jì)算機(jī)、圖形卡、工作站、游戲控制臺(tái)和其他高功率的CPU系統(tǒng)...
PowerPAK MLF6x6封裝SiC769Vishay集成DrMOS解決方案 2009-07-27

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