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↓在全部中搜索到 1694 條關于“Vishay”的信息，用時:0.056 sec.

Vishay推出新款Power Metal Strip電池分流電阻WSBS8518

Vishay出新款Power Metal Strip®電池分流電阻 --- WSBS8518，新電阻在8518尺寸封裝內實現了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。 WSBS8518電池分流電阻采用專利技術的處理工藝，可產生100μΩ、125μΩ、和250μΩ這樣極低的阻值。這樣可以提高汽油、柴油和混合動力汽車、卡車、電動車，以及電動叉車和其他...
Power Metal StripVishayWSBS8518電池分流電阻 2009-07-27

Vishay推出Bulk Metal箔超高精度Accutrim微調電位器1280G和1285G

Vishay推出兩款Bulk Metal®箔超高精度Accutrim微調電位器 --- 1280G和1285G。這兩款長3/4英寸的直線型器件在–55 ℃～+125℃溫度范圍內、+25℃參考溫度條件下，分別具有±5 ppm/℃(1285G)和±15 ppm/℃(1280G)的端到端TCR，在滑動端上的TCR為±25ppm/℃，在+25℃、滿載額定功率條件下工作2000小時...
1280G1285GAccutrim微調電位器Bulk MetalVishay箔超高精度 2009-07-08

Vishay推出采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件Si7145DP

Vishay推出采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，將10V、4.5V柵極驅動下的最大導通電阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。憑借這些性能規格，新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P溝道家族的最新成員--實現了在這個電壓等級和占位下最低的導通電阻。 Si7145DP采用PowerPAK SO-8封裝...
Vishay Siliconix推出... 2009-07-02

Vishay推出新款低尺寸、高電流電感器IHLP器件IHLP-2020CZ-01

Vishay推出新款采用2020外殼尺寸的薄厚度、高電流IHLP 電感器 --- IHLP-2020CZ-01。緊湊的IHLP-2020CZ-01的占位面積為5.18mmx5.49mm，厚度僅有3mm，同時具有高最大頻率和0.10μH至15μH的電感量。新款IHLP電感器可在5MHz的頻率下工作，為終端產品中穩壓器模塊(VRM)和DC-DC轉換器應用提供了高效能、節能...
IHLPIHLP-2020CZ-01Vishay高電流電感器 2009-07-02

Vishay推出在緊湊4527封裝內提供5W功率的表面貼裝電阻

Vishay推出在4527封裝尺寸內提供5W額定功率的電阻 --- WSR5，壯大了其Power Metal Strip電阻中的WSR系列。象WSR2 (2-W)和WSR3 (3-W)器件，WSR5的尺寸僅有0.455英寸 x 0.275英寸(11.56 mm x 6.98 mm)，厚度僅有0.095英寸(2.41 mm)，為汽車系統中的電子控制裝置、通信基站中的電源、高端工作站和服務器...
4527封裝5W功率Vishay表面貼裝電阻 2009-07-01

Vishay 發布±15V高精度8通道、4通道CMOS模擬復用器

Vishay推出兩款為數據采集、工業過程控制、測試和測量以及醫療系統里的±15V高精度、低噪聲信號開關應用進行了優化的復用器 --- 8通道的DG508B和4通道的DG509B。 8通道的DG508B和4通道的DG509B采用獨特的設計，非常適用于模數轉換網絡的模擬前端中的高精度復用，這種應用中需要更快和更精確的數據采集性...
CMOS模擬復用器DG508BDG509BVishay 2009-07-01

Vishay推出集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品SiZ700DT

Vishay推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR封裝，在一個緊湊的器件內同時提供了低邊和高邊MOSFET，同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性，比使用...
SiZ700DTVishay不對稱功率MOSFET系列 2009-06-29

Vishay推出采用SMD功率封裝的1W自然白光LEDVLMW711T3U2US

Vishay推出通過AEC-Q101汽車認證的1W自然白光LED --- VLMW711T3U2US。該款產品具有非常高的亮度和緊湊的封裝外形，壯大了Little Star系列SMD功率LED家族的陣容。VLMW711T3U2US LED使用InGaN技術，具有10 K/W的低熱阻和高發光強度，可用于各種各樣的應用。 VLMW711T3U2US采用SMD功率封裝，占位面積為6....
VishaySMD功率封裝1W自然白光LEDVLMW711T3U2US 2009-06-29

Vishay推出采用BGA封裝的超高精度表面貼裝電阻網絡VFB1012D

Vishay推出三款超高精度的Bulk Metal Z箔表面貼裝電阻網絡 --- 2電阻的VFB1012D分壓器，3電阻的VFB1515N和4電阻的VFB2028N，在目前BGA(球柵陣列)封裝的產品中具有最佳的穩定率。器件在0～+60度、-55度～+125度范圍內，+25度參考溫度下的絕對TCR分別為±0.05ppm/度和±0.2ppm/度，在額定功率下的PCR跟蹤(自...
BGA封裝VFB1012DVishay表面貼裝電阻網絡高精度 2009-06-12

Vishay推出高操作電壓IGBT和MOSFET驅動器VO3120/50A

Vishay推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已有的光耦產品線。今天發布的VO3120和VO3150A的輸出電流分別為2.5A和0.5A，具有最寬的工作電壓和很高的環境工作溫度，其低功耗特性能夠實現更好的熱管理，以及在馬達驅動、電磁爐、電源和其他高電壓應用中實現更靈活的設計。 VO3120和VO3150A都帶有一...
Vishay高操作電壓IGBTMOSFET驅動器VO3120VO3150A 2009-06-10

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