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↓在全部中搜索到 1694 條關(guān)于“Vishay”的信息，用時(shí):0.037 sec.

Vishay推出1242 QPL系列Bulk Metal箔Accutrim微調(diào)電位器

Vishay推出新的QPL系列Bulk Metal®箔超高精度Accutrim微調(diào)電位器 --- 1242系列電位器，可以滿足并全面超出MIL-PRF-22097標(biāo)準(zhǔn)F章的要求。對(duì)于航空、軍工和航天應(yīng)用(AMS)，這款通過QPL認(rèn)證、1/4平方英寸、RJ26型的器件在-55℃～+150℃、+25℃參考溫度下的端到端TCR為±10ppm/℃，在滑動(dòng)端上的TCR為...
1242 QPL系列AccutrimBulk MetalVishay微調(diào)電位器 2009-06-08

Vishay新的精密薄膜電阻陣列擴(kuò)大了ACAS AT系列的功率等級(jí)

Vishay推出新款A(yù)CAS 0606 AT，擴(kuò)大了ACAS AT系列精密薄膜電阻陣列的可用功率等級(jí)。電阻陣列在一個(gè)基板上集成了兩個(gè)電阻，具有+155℃的薄膜溫度，每個(gè)電阻的最大功率散熱等級(jí)為0.125W，通過了AEC-Q200認(rèn)證。高功率等級(jí)、小于0.5%的潮濕敏感度(85度，85% RH，1000小時(shí))和1000V的ESD防護(hù)能力，使ACAS 0606...
ACAS AT系列Vishay功率等級(jí)精密薄膜電阻陣列 2009-06-01

Vishay推出采用Bulk Metal箔技術(shù)的超高精度Accutrim系列微調(diào)電位器

Vishay推出采用Bulk Metal®箔技術(shù)的超高精度Accutrim™系列微調(diào)電位器 --- 1240和1260系列，達(dá)到并超出了MIL-PRF-39035標(biāo)準(zhǔn)H章的要求。1240系列的規(guī)格為1/4平方英寸、RJ26型，1260系列的規(guī)格為3/8平方英寸、RJ24型，在-55℃～+150℃、+25℃參考溫度下具有±10ppm/℃的端到端TCR，在滿載...
Accutrim系列微調(diào)電位...Bulk Metal箔技術(shù)Vishay 2009-05-31

Vishay推出新型超小尺寸、高性能厚膜功率電阻系列

Vishay推出小尺寸、寬阻值范圍的新型300W、600W和800W厚膜功率電阻 --- Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800。新款Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800厚膜電阻無電感(
LPS300LPS600LPS800Vishay厚膜功率電阻 2009-05-27

Vishay推出通過軍標(biāo)認(rèn)證的新型Bulk Metal箔電阻及其代替器件

Vishay已將其QPL RNC90Y系列高可靠Bulk Metal®箔電阻的容差減小到±0.005%。如果設(shè)計(jì)者需要的電阻阻值比QPL規(guī)定的范圍更高或更低，但是要求具有同樣的性能，也可采用非QPL版的S555器件。憑借于R級(jí)電阻的高可靠性，RNC90Y通過了MIL PRF 55182/9軍標(biāo)認(rèn)證，該標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)需要更嚴(yán)格容差、更低溫...
Bulk Metal箔電阻Vishay代替器件軍標(biāo)認(rèn)證 2009-05-20

Vishay推出采用Bulk Metal 箔工藝的1202系列Accutrim微調(diào)電位器

Vishay推出采用Bulk Metal箔工藝的超高精度Accutrim系列微調(diào)電位器 --- 1202系列，該系列器件采用1¼英寸的直線RJ12型定型長(zhǎng)度，達(dá)到并超出了MIL-PRF-22097標(biāo)準(zhǔn)F章的要求。對(duì)于精確的調(diào)校，該器件在-55℃～+150℃、+25℃參考溫度下提供了±10ppm/℃的端到端TCR，在整個(gè)滑動(dòng)臂上的TCR為±25ppm/...
1202系列Bulk Metal 箔工藝Vishay高精度Accutrim微調(diào)電... 2009-05-19

Vishay發(fā)布采用新型SMD功率封裝的1W白光Little Star LED

Vishay為其Little Star系列LED增添了一個(gè)新成員－通過汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的1W白光LED --- Little Star VLMW711U2U3XV，該LED器件將超高亮度和緊湊的封裝外形集于一身。Little Star VLMW711U2U3XV還具有低熱阻和高發(fā)光強(qiáng)度，適用于各種各樣的應(yīng)用。憑借SMD功率封裝、緊湊的6.0mm x 6.0mm的占位面積和1.5...
1W白光Little Star LE...SMD功率封裝Vishay 2009-05-18

Vishay推出新款LC EMI/ESD濾波器陣列LLP1713/LLP3313

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款LC EMI/ESD濾波器陣列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超級(jí)緊湊的LLP1713和LLP3313無引線封裝內(nèi)提供了小于1db的輸入損耗。新款VEMI濾波器陣列的厚度只有0.6mm，可節(jié)省電路板空間，并為便攜式游戲機(jī)、PDA、智能...
VishayEMI/ESD濾波器陣列LLP1713LLP3313 2009-05-15

Vishay Siliconix發(fā)布第三代20V P通道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET --- Si7615DN，其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝占位面積的1/3，可大大節(jié)省電路板空間。新款Si7615DN提供了超低的導(dǎo)通電阻，在10V、4.5V和2.5V條件下的導(dǎo)通電阻分...
Vishay SiliconixP通道TrenchFET功率MOSFETSi7615DN 2009-05-13

Vishay Siliconix推出小導(dǎo)通電阻雙P溝道功率MOSFET SiA921EDJ

Vishay推出具有兩個(gè)20V P溝道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ，其導(dǎo)通電阻是目前所有雙P溝道器件當(dāng)中最小的，所采用的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。 SiA921EDJ在4.5V和2.5V條件下分別具有59 mΩ和98 mΩ的超低導(dǎo)通電阻。第三代TrenchFET MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味...
MOSFETVishay Siliconix雙P溝道功率導(dǎo)通電阻 2009-04-30

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