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↓在全部中搜索到 1694 條關于“Vishay”的信息，用時:0.036 sec.

Vishay發布三款經CECC認證的新型高精度Bulk Metal箔電阻

Vishay推出三款面向航空、國防和航天(AMS)應用的通過CECC認證的新型高精度Bulk Metal®箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃參考溫度條件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差為±0.01%，在70℃溫度下工作2000小時后的負載壽命穩定率為±0.005%(50ppm)。 Vishay此次推出的電阻通...
CECC認證Vishay高精度Bulk Metal箔電... 2009-04-30

Vishay發布翼式4040封裝尺寸大電流電感器IHLW-4040CF-11

Vishay推出翼式且采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器 --- IHLW-4040CF-11。IHLW-4040CF-11是為安裝在分離(cut-out)PCB上而設計的，透過使用較大尺寸的部件，可為設計人員提供大電流解決方案，而其在電路兩板側的厚度不超過1.2mm。 IHLW-4040CF-11具有0.10μH至2.2mH的電感范圍、14.0A至48A的飽和電流...
4040封裝尺寸IHLW-4040CF-11Vishay大電流電感器翼式 2009-04-29

Vishay發布采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器M34和M35

Vishay推出兩款新型液鉭電容器 --- c和M35，新器件是業界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產品。 M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電解電容器的優點，摒棄了大多數缺點。在相似的電容量和外殼尺寸的情況下，新器件可耐受比其他類型電解電容器更高的紋波電流。此外，M35系列在+85℃溫度下可承受3...
M34M35Vishay模壓封裝液鉭電容器表面貼裝 2009-04-23

Vishay推出性能先進的高精度Bulk Metal 箔電阻和Z箔電阻

Vishay發布了4款具有涂層封裝、高性價比的高精度Bulk Metal®電阻，包括兩款箔電阻 --- VSH、VSC和兩款Z箔電阻 --- VSHZ、VSCZ。Vishay獨特的制造工藝使新型電阻實現了極高的精度，1ns的上升反應時間比采用其他技術的電阻要快得多，而且沒有振鈴。在-55～+125溫度范圍內、+25度參考溫度下，VSH和...
VishayZ箔電阻高精度Bulk Metal 箔電... 2009-04-17

Vishay推出兩款新型肖特基整流器MSS1P2U和MSS1P3U

Vishay推出兩款新型肖特基整流器 --- MSS1P2U和MSS1P3U，在+85度和+25度時的前向壓降分別只有0.35V和0.4V。器件采用小型MicroSMP功率封裝，額定電壓分別為20V(MSS1P2U)和30V(MSS1P3U)，輸出電流為1A，Vishay此次推出的新型器件的高電流功率密度和低熱阻有助于實現節省空間的設計。 MSS1P2U和MSS1P3U的...
MSS1P2UMSS1P3UVishay肖特基整流器 2009-04-16

Vishay發布新款PIN型高速光電檢測器TEMD5080X01

Vishay發布了其新款高速光電檢測器 --- TEMD5080X01，繼續擴展其光電產品線。TEMD5080X01是PIN型光電二極管，與標準PIN光電二極管芯片相比，TEMD5080X01對400nm紫外線的檢測靈敏度提高了300%，因此可廣泛用于工業和消費類系統。 TEMD5080X01可檢測的光譜范圍為350nm～1100nm，包括紫外線輻射、可見光和...
PIN型高速光電檢測器TEMD5080X01Vishay 2009-04-08

Vishay 推出新型 IHLP® 薄型大電流電感器IHLP-6767GZ-01

Vishay推出采用 6767 封裝尺寸的新型 IHLP® 薄型大電流電感器 --- IHLP-6767GZ-01。作為Vishay目前最大的 IHLP 器件，IHLP-6767GZ-01 的封裝尺寸為17.15 mm × 17.65 mm、厚度為 7.0 mm，且具有較高的最大頻率及 0.22 µH 至 22 µH 的標準電感值范圍。憑借高達 2 MHz 的頻...
VishayIHLP® 薄型大電流... 2009-03-27

Vishay 推出面向AMS的表面貼裝 Bulk Metal Z 箔電阻

Vishay宣布，其面向航空、軍事和航天應用的超高精度、卷繞表面貼裝 Bulk Metal Z 箔（BMZF）電阻新系列目前已可提供，該系列已根據 EEE-INST-002、DSCC 和 EPPL 標準進行生產后篩選。多種生產后篩選可供 Vishay 客戶選擇，從而進一步增強基于 VSMP 配置的新型 SMD 卷繞器件具較高的穩定性。這些篩選包...
VishayAMS表面貼裝Bulk MetalZ 箔電阻 2009-03-24

Vishay推出20V P 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET Si7137DP

Vishay發布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業內最低的導通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在 10 V 時）、2.5 mΩ（在 4.5 V 時）和 3.9 mΩ（在 2.5 V 時）的超低導通電阻。Trenc...
P 通道 TrenchFETSi7137DPVishay第三代功率 MOSFET 2009-03-11

Vishay增強 VFCD1505 表面貼裝倒裝芯片分壓器的功能

Vishay宣布，公司已增強 VFCD1505 表面貼裝倒裝芯片分壓器的功能，器件具有小于 1 秒的幾乎瞬時熱穩定時間。當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 和 55°C 至 +125°C（參考溫度為 +25°C）時，該器件具有 ±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR，在額定功率時具有 ±5 ppm 的出色 TCR 跟蹤（“自...
VishayVFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓... 2009-03-04

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