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↓在全部中搜索到 1694 條關于“Vishay”的信息，用時:0.035 sec.

Vishay推出高電容高紋波電流徑向鋁電容器146 RTI

Vishay推出新系列徑向鋁電容器 --- 146 RTI，這些器件具有極低的阻抗值、高電容及高紋波電流，并可實現高達 +125°C 的高溫運行。 146 RTI 器件可采用 13 種封裝尺寸，從 10 mm × 12 mm 至較大的 18 mm × 35 mm。為實現更高的性能及可靠性，這些電容器在 100 kHz 時具有低至 18 m 的超低額...
146 RTIVishay徑向鋁電容器高電容高紋波電流 2009-01-24

Vishay改進高可靠性電阻RNC90Z 系列的Bulk Metal Z 箔電阻性能

Vishay將 RNC90Z 系列通過軍品級檢驗的 Bulk Metal® Z 箔可靠性電阻的容差降至 0.005%，在滿足高可靠性的基礎上大幅提升性能。作為 R 級可靠性電阻，Vishay 的 RNC90Z 符合規定軍事和航空應用長期穩定性要求的 MIL PRF 55182/9 軍用標準。該電阻在溫度變化、施加負載、頻率偏移和...
Bulk Metal Z 箔電阻RNC90Z 系列Vishay高可靠性電阻 2009-01-23

Vishay推出兩款微型面板電位計P11P 和 P11D

Vishay推出兩款微型面板電位計 --- P11P 和 P11D，這兩款產品具有 5,000 VRMS 的高抗電強度，采用金屬陶瓷和導電塑料材料，可提供多種模塊和接線端類型。 Vishay的新型 Sfernice 器件具有從每英寸 0.3 盎司到 1.4 盎司的典型操作扭矩以及每英寸 6.8 磅的終點止動扭矩。這些電位計可提供 20Ω至 10MΩ 的...
Vishay微型面板電位計P11PP11D 2009-01-23

Vishay 推出新型超小型表面貼裝（SMD）紅外接收器系列TSOP75xxx

Vishay推出用于遙控系統的新型超小型表面貼裝（SMD）紅外接收器系列 --- TSOP75xxx，從而拓寬了其光電子產品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型輻照度、在 3.3 V 時 0.35 mA 的超低電流、側視型的厚度僅為 3.0 mm及業界最佳敏感度/尺寸比。根據經證實的兩透鏡理論，TSOP75xxx 系列通過...
TSOP75xxxVishay外接收器超小型表面貼裝（SMD） 2009-01-20

Vishay 推出MICRO FOOT芯片級封裝的TrenchFET功率 MOSFET

Vishay推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。 Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化。該器件 2-mil背面涂層可實現對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便...
MICRO FOOT芯片級封裝Si8422DBTrenchFET功率 MOSFETVishay 2009-01-20

Vishay 推出用于傳感器和光障系統的小型SMD紅外接收器

Vishay推出為傳感器和光障系統應用優化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038，拓寬了其光電產品系列。憑借其快速響應時間、不易受電壓波動和 EMI 噪聲影響以及在 5 V 時具有 0.85 mA 典型低電流等特點，該固定增益器件可在所有光環境中提供始終如一的性能。在中長距反射傳感器系統、紅外光障系統（如車庫門...
Vishay傳感器光障系統小型SMD紅外接收器 2009-01-19

Vishay VSLB3940 3mm 紅外發射器的性能趕超 5mm 發射器

Vishay推出 3mm (T1) 紅外發射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產品系列，且這些新器件的性能特征與領先的 5mm 發射器相當。新型 VSLB3940 940nm 紅外發射器在 100 mA 時具有 65 mW/sr 的同軸輻射強度及 40 mW 光功率，這意味著Vishay的新型器件與大型 5mm TSAL6200 相比，尺寸減小 40%，而性能提高約8...
VishayVSLB39403mm 紅外發射器5mm 發射器 2009-01-16

Vishay推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻

Vishay推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip® 電阻，該產品是業界首款可在 –65度到 +275 VishayWSLT2010_18.pdf 溫度范圍內工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-mΩ 到 500-mΩ）、較低的誤差（低至 ±...
Vishay1-W 表面貼裝Power Metal Strip電阻 2009-01-15

Vishay推出帶有同體封裝的190V N 通道功率 MOSFET SiA850DJ

Vishay Intertechnology宣布推出業界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業界首款此類器件。 SiA850DJ 的典型應用將包...
190V N 通道功率 MOSF...SiA850DJVishay同體封裝 2009-01-08

Vishay推出新型TrenchFET功率 MOSFET Si7633DP/135DP

Vishay推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。現有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在...
VishayTrenchFET功率 MOSFETSi7633DPSi7135DP 2008-12-23

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