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應(yīng)用開發(fā)

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[原創(chuàng)]Silabs Si828x系列(Si8285和Si8286)SiC FET柵極驅(qū)動方案

Silabs公司的Si828x系列(Si8285和Si8286)是隔離的大電流柵極驅(qū)動器ISODrivers,集成了系統(tǒng)安全性和反饋功能.非常適合驅(qū)動碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT,應(yīng)用逆變器和馬達(dá)控制的各種應(yīng)用.Si8285和Si8286隔離柵極驅(qū)動器采用Silicon Labs公司的專有硅絕緣技術(shù),支持高達(dá)5.0 kVrms耐受電壓per UL1577.和其...
電源管理SiC FET柵極驅(qū)動器SilabsSi828x 2021-06-25

[原創(chuàng)]TI LMG3425R050600V 50mΩGaN FET解決方案

TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計者在電源系統(tǒng)中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅(qū)動器開關(guān)速度高達(dá)150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅(qū)動器更高的安全操作區(qū)域(SOA).這種集成以及相應(yīng)的低電感封裝,在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁?..
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3425R050600V 2020-12-30

[原創(chuàng)]TI LMG3422R030 600V 30mΩGaN FET應(yīng)用評估方案

TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計者在電源系統(tǒng)中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅(qū)動器是開關(guān)速度高達(dá)150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅(qū)動器更高的安全操作區(qū)域(SOA).這種集成以及相應(yīng)的低電感封裝,在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁?..
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3422R030 2020-12-10

[原創(chuàng)] TI LMG1020低邊GaN FET驅(qū)動器解決方案

TI公司的LMG102是單個低邊GaN和Si MOSFET驅(qū)動器,高達(dá)60MHz工作頻率,輸入脈沖寬度１ns,傳輸時延典型值2.5ns,上升和下降時間為400ps,7A峰值源電流和5A峰值沉電流,5V工作電壓,主要用在激光雷達(dá)(LiDAR),TOF激光驅(qū)動器,面部識別,E類無線充電器,VHF諧振電源轉(zhuǎn)換器,GaN同步整流器和增強(qiáng)現(xiàn)實(AR).本文介紹了LMG...
電源管理GaN FET驅(qū)動器LIDARLMG102 2019-01-04

導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開關(guān)

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體(FET);其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的氮化鎵(GaN)FET，由于導(dǎo)通和開關(guān)損耗極低，且具備比矽FET出色的反向恢復(fù)(Qrr)特性，因而能顯著改善電源系統(tǒng)開關(guān)效率。射頻(RF)應(yīng)用的氮化鎵(GaN)電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點開發(fā)面...
2014-02-11

擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

本設(shè)計實際制作了擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭
2007-09-12

飛兆推出DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊FDMF6700

飛兆半導(dǎo)體公司推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計人...
DrMOS FET多芯片模塊 2007-07-18

TI推出高性能 ORing-FET控制器TPS241x

TI推出具備高級功能的 ORing 電源控制器系列--TPS241x。這些高性能器件能夠提高多種設(shè)備的功率分配能力，如 12 V 刀片服務(wù)器、N+1 電信系統(tǒng)與冗余低壓處理器電源。這種集成電路不僅為 ORing 二極管提供了高效的替代產(chǎn)品，而且還能智能監(jiān)控電源，以防止在工作期間因總線瞬態(tài)事件而出現(xiàn)電壓峰值導(dǎo)致主板損...
Ring-FET控制器TPS241x 2007-03-02

飛思卡爾推出高功率多級射頻功率LDMOS FET

飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前為適用于時分同步碼分多址(TD-SCDMA)無線基站推出高功率多級射頻功率LDMOS FET。 TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)是第三代無線接入方法，這種標(biāo)準(zhǔn)有望在中國廣泛采用。飛思卡爾是第一家專門針對新興的標(biāo)準(zhǔn)提供商用射頻集成電路(RFIC)的公司。新近優(yōu)化的飛思卡爾MW6IC2240NB的高輸出水平使OEM能夠把...
MW6IC2240NB多級射頻功率LDMOS FE... 2007-02-28

ATF-511P8:大功率6GHz E-PHEMT FET

12月16日訊，Agilent公司推出業(yè)界最高輸出功率，動態(tài)范圍和效率(PAE)的增強(qiáng)型假高電子遷移率晶體管(E-pHEMT)場效應(yīng)晶體管(FET)ATF-511P8，它是無引線的微型塑料芯片承載封裝，用在高達(dá)6GHz的無線應(yīng)用。在2GHz，單電源4.5V工作的ATF-511P8 E-pHEMT FET在1dB增益壓縮時的輸出功率為30dBm，41.7dBm三階輸出...
FET 2002-12-20

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