电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設(shè)為首頁網(wǎng)站地圖加入收藏

應(yīng)用開發(fā)

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業(yè)自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫(yī)療及看護(hù)| 通信及物聯(lián)網(wǎng)| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 86 條關(guān)于“Transphorm”的信息，用時:0.028 sec.

如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間

電機驅(qū)動器運行的惡劣環(huán)境可能會因逆變器擊穿和電機繞組絕緣擊穿等故障情況而導(dǎo)致過流水平。功率器件需要在保護(hù)檢測電路觸發(fā)和關(guān)閉電機驅(qū)動所需的時間內(nèi)承受這些事件。SC 事件通常具有以下特征：高漏極電壓 (V DS ) 和漏極電流 (I DS )的組合。在這種情況下流動的電流是器件的飽和電流(I DSAT )。電流密...
GaN HEMT 功率器件 2024-05-15

Normally－off D－Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢

常閉耗盡型 (D-Mode) 與增強型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管本質(zhì)優(yōu)勢對比之簡短指南氮化鎵功率半導(dǎo)體器件毫無疑問是目前電力電子領(lǐng)域中非常火熱的一個話題。當(dāng)今占主導(dǎo)有兩種晶體管類型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當(dāng)人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用增強型晶體管。...
氮化鎵晶體管半導(dǎo)體 2023-10-18

把開關(guān)電源頻率無限提升，會炸嗎？

引言估計很多新手工程師在設(shè)計開關(guān)電源計算變壓器時發(fā)炸現(xiàn)，把電源的開關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開關(guān)頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。但實際上一般開關(guān)電源的頻率都不會特別高，也不可能使頻率無限提高，其中到底有哪些原...
開關(guān)電源開關(guān)頻率 2023-01-29

如果把開關(guān)電源的頻率無限提升，會發(fā)生什么？

引言估計很多新手工程師在設(shè)計開關(guān)電源計算變壓器時發(fā)現(xiàn)，把電源的開關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開關(guān)頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。但實際上一般開關(guān)電源的頻率都不會特別高，也不可能使頻率無限提高，其中到底有哪些原因...
開關(guān)電源頻率無限PCB布局 2022-11-07

利用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計更有效的功率因數(shù)校正電路

作者：Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備（包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動器和不間斷電源）的效率，功率因數(shù)校正 (PFC) 必不可少。其重要性在于，一些法規(guī)規(guī)定了特定類型電子設(shè)備的最低功率因數(shù) (PF) 水平。設(shè)計人員面對在不斷縮小的外形尺寸內(nèi)提高整體性能...
寬帶隙半導(dǎo)體數(shù)字控制功率因數(shù)校正 2022-03-24

在消費中爆發(fā)，在汽車中升華——氮化鎵邁向新里程

根據(jù)Yole的一篇市場調(diào)研報告顯示，第三代半導(dǎo)體（寬禁帶）半導(dǎo)體將受益于新能源車的火熱，在汽車市場中迅速提升。Yole預(yù)計，2025年，SiC在新能源車市場將超過15億美元，成為最大的SiC應(yīng)用市場，具體應(yīng)用包括主逆變器、OBC及DC/DC轉(zhuǎn)換器。而GaN在電動汽車中市場總?cè)萘繉⑦_(dá)到1.55億美元，主要應(yīng)用包括OBC...
DC／DC轉(zhuǎn)換器GaNOBC氮化鎵 2022-03-17

第三代半導(dǎo)體讓快充、電動車、5G飛速發(fā)展

半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今，先后經(jīng)歷了三代材料的變更歷程。第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度 Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。據(jù)了解，我國把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2...
5G第三代半導(dǎo)體 2021-02-26

消息稱我國計劃大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

上周末有關(guān)第三代半導(dǎo)體將寫入 “十四五規(guī)劃”的消息引起廣泛關(guān)注，據(jù)權(quán)威消息人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的 “十四五”規(guī)劃，計劃在 2021-2025 年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。 ...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2020-09-08

富士通電子發(fā)力汽車電子及其相關(guān)領(lǐng)域，展示其最新技術(shù)和產(chǎn)品

2019年3月13日，富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，將攜旗下FRAM全線產(chǎn)品和代理3D Global、 Crocus、Socionext、新電元、Transphorm等品牌共同亮相慕尼黑上海電子展。帶來了富士通電子在汽車電子、工業(yè)控制、消費類電子等應(yīng)用領(lǐng)域的眾多最新解決方案。非易失性存儲器指在沒有上電的狀態(tài)下依然...
自動輔助駕駛（ADAS）工業(yè)控制存儲器 2019-03-14

GaN發(fā)展勢頭迅猛提前達(dá)到10億美元市場規(guī)模

雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）設(shè)備帶來諸多優(yōu)點。其需求估計在2015年之前將達(dá)到3億美元，并且將比以前預(yù)想的時間更...
2012-08-05

上一頁 1 2 3 4 5 6 7 8 9 下一頁

關(guān)鍵字搜索分類查看

博客日志(9)

主站蜘蛛池模板：都兰县| 沾益县| 莆田市| 合山市| 渭南市| 普兰店市| 福贡县| 榆社县| 松原市| 广昌县| 五原县| 若羌县| 登封市| 福海县| 陇川县| 玉龙| 资中县| 汾阳市| 武隆县| 正安县| 永登县| 绥宁县| 株洲市| 温州市| 曲松县| 西峡县| 潜山县| 阿尔山市| 望江县| 灵山县| 太和县| 涟源市| 陕西省| 庆城县| 阿坝| 泾源县| 桦南县| 集安市| 南岸区| 运城市| 连江县|