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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的150V N溝道MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強(qiáng)型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，可通過(guò)減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，在各種空間受限的應(yīng)用中提高效率。SiA446DJ適用于隔離式DC/D...
2014-05-09

Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率...
2014-05-01

Vishay發(fā)布8款低外形SlimSMA封裝的FRED Pt超快恢復(fù)整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出8款新的采用小尺寸、低外形SlimSMA (DO-221AC) eSMP®系列封裝的2A和3A FRED Pt®超快恢復(fù)整流器。這些整流器具有超快和軟恢復(fù)特性、低泄漏電流和低正向壓降，通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，在汽車和電信應(yīng)用里可減少開(kāi)關(guān)損耗和功耗。今天發(fā)布的Vishay Semic...
2014-04-29

Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率...
2014-04-29

Vishay發(fā)布8款低外形SlimSMA封裝的FRED Pt超快恢復(fù)整流器

這些2A和3A器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，為汽車和電信應(yīng)用提供了更高的功率密度日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出8款新的采用小尺寸、低外形SlimSMA (DO-221AC) eSMP®系列封裝的2A和3A FRED Pt®超快恢復(fù)整流器。這些整流器具有超快和軟恢復(fù)特性、低泄漏電流和低正向壓降，通過(guò)AEC-Q101...
2014-04-28

Vishay發(fā)布8款低外形SlimSMA封裝的FRED Pt超快恢復(fù)整流器

<body><iframe id="sina_anywhere_iframe" style="display: none;"></iframe><div class="power_top"> <div class="power_topleft"> <form method="post" action="/e/search/index.php"> <table width="100%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"&g...
2014-04-28

Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面...
2014-03-27

Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高...
2014-03-25

Vishay推用于車輛LED照明采用IHLP制造的新款組合耦合電感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用該公司IHLP® 技術(shù)制造，可用于SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器和其他應(yīng)用的新系列組合耦合電感器。Vishay Dale IHCL使用4040小外形尺寸，在相同封裝內(nèi)裝了兩個(gè)電感器，磁耦合大于90%，工作溫度可達(dá)+155℃，有2.2μH～47μH共8種感值。今天發(fā)布的器件的工作頻率可...
2014-02-20

Vishay發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的AIN基板RCP新款厚膜片式電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的新系列厚膜片式電阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和標(biāo)準(zhǔn)印制板貼裝情況下的功率等級(jí)為1W，采用主動(dòng)式溫度控制后，功率等級(jí)可達(dá)11W。RCP系列電阻適用于大功率的航空、軍工、工業(yè)和電信系統(tǒng)...
2014-02-17

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