隨著半導體技術的提升，人們逐漸將目標轉向了尋找Si以外新一代的半導體材料。在這個過程中，GaN近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料的代表，由于禁帶寬度大、導熱率高等特性，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺... （來源：新聞頻道）
GaN FET功率密度電源磁性器件 2020-11-20 15:38
德州儀器（TI）今天推出了面向汽車和工業應用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），進一步豐富拓展了其高壓電源管理產品線。與現有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59... （來源：新聞頻道）
TI GaN FET 2020-11-10 16:28
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