作者:Frederik Dostal,電源管理專家 摘要 任何開關電源都無法提供絕對精確的輸出。輸出電壓的調節精度會受到多種容差的影響。本文解釋了各種不精確性的來源,并說明了如何確定總容差范圍。 引言 開關電源有一個反饋引腳,可用來設置輸出電壓。此輸出電壓由電源電路調... (來源:技術文章頻道)
開關電源電壓 2025-10-17 14:06
新思科技近日宣布,其旗下的Ansys仿真和分析解決方案產品組合已通過臺積公司認證,支持對面向臺積公司最先進制造工藝(包括臺積公司N3C、N3P、N2P和A16™)的芯片設計進行準確的最終驗證檢查。兩家公司還就面向TSMC-COUPE™平臺的AI輔助設計流程開展了合作。新思科技與臺積公司共同賦能客戶有... (來源:新聞頻道)
新思科技臺積公司 2025-10-17 10:31
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品(TO-263-7L)相比,其散熱性提升約39%,雖然體型小且薄,卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... (來源:新品頻道)
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
2025年10月16日,致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCV78514 LED Driver的汽車智能LED燈組評估板方案。 圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的汽車智能LED燈組評估板方案的展示板圖 智能LED燈組正逐步成... (來源:解決方案頻道)
大聯大世平集團onsemi汽車LED 2025-10-16 16:25
——專訪安森美高級現場應用工程師陳熙 在AI技術飛速發展的當下,數據中心作為算力樞紐,正面臨著日益嚴峻的能耗挑戰。為深入了解行業應對之策,中電網特別專訪了安森美高級現場應用工程師陳熙,圍繞AI數據中心的能耗困境、安森美的技術解決方案、供應鏈保障及未來研發方向展開深入探討。... (來源:新聞頻道)
AI 數據中心硅溝槽功率 MOSFETSiC MOSFET 2025-10-16 09:28
近日,我國在8英寸碳化硅領域多番突破,中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級,三義激光首批碳化硅激光設備正式交付,天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售,上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來,未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術,我們拭目以待。 關鍵突破!中國電科4... (來源:新聞頻道)
碳化硅碳化硅激光設備 2025-10-15 13:18
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
800 VDC機架電源架構為人工智能數據中心帶來突破性進展,可實現更高效率、更高功率密度,同時降低能耗需求并減少二氧化碳排放。如同電動汽車行業從400V向800V的升級,機架電壓從48V提升至800V可使電流降低16倍,從而大幅減少I²R損耗以及銅材的需求。英諾賽科正與NVIDIA合作,攜手支持800 VDC電源架... (來源:新聞頻道)
英諾賽科電源架構VDC電源 2025-10-14 16:20
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,成功開發出在2012尺寸分流電阻器(10mΩ~100mΩ)領域實現業界超高額定功率的“UCR10C系列”產品。 在電流檢測領域,無論是車載市場還是工業設備市場,都要求分流電阻器能夠應對更大功率。另外,車載市... (來源:新品頻道)
ROHM電阻器UCR10C 2025-10-14 14:46
作者:Sin Keng Lee,應用工程師 Zhijun (George) Qian,高級經理 摘要 本文介紹一種應用于μModule®穩壓器的精準串聯主動電壓定位(AVP)實現方法。借助該方法,可獲得快速負載瞬態響應,大幅節省電路板空間,實現全陶瓷電容式解決方案。與分流AVP設計相比,這種串聯AVP可提供... (來源:技術文章頻道)
UModule穩壓器電容 2025-10-14 12:40