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7月8~10日，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌攜廣泛的功率及電源類半導(dǎo)體產(chǎn)品亮相“2024慕尼黑上海電子展”。以“低碳化和數(shù)字化推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展”為主題，全面展示了英飛凌在綠色低碳可持續(xù)技術(shù)領(lǐng)域的深厚積淀，以及在綠色能源與工業(yè)、智能家居、電動(dòng)汽車等應(yīng)用市場(chǎng)的創(chuàng)新解決方案。在展會(huì)... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
英飛凌 2024慕尼黑上海電子展 2024-7-11 09:21
憑借優(yōu)異的性能，第三代半導(dǎo)體在高溫、高耐壓等多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用，特別是新能源汽車領(lǐng)域，已成為SiC目前最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)。SiC在車用領(lǐng)域的主逆變器、車載充電器、快速充電器、光伏逆變器等場(chǎng)景中均有廣泛應(yīng)用空間。同時(shí)車用SiC更是電驅(qū)系統(tǒng)向高電壓升級(jí)的核心器件，解決電動(dòng)汽車?yán)锍探箲]和充電速度慢兩... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
車用SiC功率器件 2022-7-28 10:17
隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對(duì)于“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)達(dá)成共識(shí)，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體新材料憑借高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異特性，成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體新材料GaN功率器件 2021-9-1 11:31
眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等。前一個(gè)十年，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規(guī)劃的提出，中國(guó)將加速... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
碳化硅（SiC） 氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料 2021-7-27 16:32
5G通信、電動(dòng)汽車等新興產(chǎn)業(yè)對(duì)碳化硅材料將產(chǎn)生巨大需求，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可引領(lǐng)帶動(dòng)原材料與設(shè)備兩個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)，助力我國(guó)加快向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。 今年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”提出，我國(guó)將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
半導(dǎo)體碳化硅 2021-7-21 11:25
“集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)乃至工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的內(nèi)部驅(qū)動(dòng)力，當(dāng)前全球集成電路產(chǎn)業(yè)的制造工藝不斷逼近物理極限，國(guó)內(nèi)與芯片制造相關(guān)的第三代半導(dǎo)體材料主要依賴進(jìn)口，我們要做的，就是打破國(guó)外的技術(shù)壟斷，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)空白。”4月2日，電科北方山東分公司總經(jīng)理、晨鴻電氣董事長(zhǎng)韓永光向記者介紹了... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
集成電路產(chǎn)業(yè)制造工藝 2020-4-14 16:20
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