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在“雙碳”目標推動下，分布式光伏因靈活部署優勢成為能源轉型的重要載體。作為光伏組件直流轉交流的核心設備，微型逆變器憑借組件級精準控制，有效解決傳統組串式方案的失配損耗與安全問題，在戶用及光伏建筑一體化（BIPV）場景中價值凸顯。隨著行業對高集成度、高效率及低成本的需求升級，... （來源：解決方案頻道）
兆易創新光伏 2025-6-19 16:04
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。 STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業應用的能效、功率密度和魯棒性。 ... （來源：新品頻道）
意法半導體半橋驅動器STDRIVEG610STDRIVEG611 2025-5-29 11:03
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電 荷存儲效應；另外MOSFET沒有二... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 2025-4-28 09:38
在功率半導體領域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”，這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢，在不同領域都實現如快充頭一樣的普及，一直是行業難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
650V耐壓、TOLL封裝的GaN HEMT有助于進一步提高電源效率 全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN™產品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務器電源采用。羅... （來源：新聞頻道）
羅姆EcoGaN村田AI服務器電源 2025-2-26 09:50
隨著可持續發展和碳中和議題在全球范圍內不斷升溫，各大科技企業紛紛加速綠色轉型的步伐。近期羅姆在北京舉辦了媒體交流會，羅姆功率元器件事業部應用戰略室課長水原德健先生詳細分享了其在ESG事業以及功率半導體“Power Eco Family”品牌上的最新布局。此次活動以“Electronics for th... （來源：新聞頻道）
羅姆低碳未來綠色轉型功率半導體 2025-2-8 11:59
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優勢主要體現在三個方面：&#... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 數據中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
芯弦半導體和國內知名上市公司納芯微今日聯合宣布，推出NS800RT系列實時控制MCU。該系列MCU憑借更加高效、功能更強大的實時控制能力和豐富的外設，使工程師能夠在光伏/儲能逆變器、不間斷電源、工業自動化、協作機器人、新能源汽車大/小三電、空調壓縮機等系統中，實現皮秒（萬億分之一秒）級別的PWM控... （來源：新品頻道）
芯弦半導體 NS800RT系列 MCU 2024-11-22 10:01
無論是MOSFET、IGBT，還是SiC MOSFET、GaN HEMT，每個功率器件都需要相應的柵極驅動芯片（Gate Driver IC）。一款合適的驅動芯片，可以簡化你系統設計復雜度，節省研發時間。但不合適的驅動芯片，可能會讓你走彎路。那么，該如何選擇一款合適的柵極驅動芯片？我們專門請納芯微技術市場經理龐家華進行了... （來源：技術文章頻道）
柵極驅動器 隔離驅動器 容耦 2024-11-11 14:30
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來源：技術文章頻道）
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
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