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單器件雙向控制，開啟無限可能 作者：Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
襯底調制效應義稱體效應或背柵效應。在前節的分析中，是將源極與襯底短接在一起，使VBS=0。當源極與襯底的電位不相等時，會對MOS管的性能產生影響。 在CMOS集成電路中，為使器件相互之間處于隔離狀態，襯底與各管的源漏區之間的PN結均應處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底... （來源：電子百科頻道）
襯底調制效應背柵效應MOS管 2016-6-21 10:13
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